时间：2025/12/26 23:53:47
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1KSMB150A是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），采用SMB（DO-214AA）封装。该器件专门设计用于保护敏感电子设备免受瞬态高能量脉冲的损害，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应电压以及其它突发性过电压事件。1KSMB150A属于单向TVS二极管，意味着其工作特性类似于一个单向齐纳二极管，在正常工作电压下呈现高阻抗状态，当瞬态电压超过其击穿电压时迅速变为低阻抗，将过电压钳位到安全水平，并将电流分流至地，从而保护后级电路。
该器件的命名规则中，“1K”表示其峰值脉冲功率为1000W（1kW），“SMB”代表封装类型为SMB（DO-214AA），“150A”则表示其反向关断电压（VRWM）为150V。1KSMB150A具备快速响应时间（通常在皮秒级别），能够在瞬态事件发生的极短时间内启动保护机制，确保被保护电路不受损坏。此外，该TVS二极管具有低动态电阻和高浪涌吸收能力，适用于多种工业、消费类和汽车电子应用中的电源线和信号线保护。
类型：单向TVS二极管
封装：SMB（DO-214AA）
峰值脉冲功率：1000W
反向关断电压（VRWM）：150V
击穿电压（VBR）：167V @ 1mA
最大钳位电压（VC）：234V @ 4.3A
最大反向漏电流（IR）：5μA
测试电流（IT）：1mA
峰值脉冲电流（IPP）：4.3A
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
引线焊接温度：30秒内最高260°C
1KSMB150A的核心特性之一是其高达1000W的峰值脉冲功率处理能力，使其能够有效应对大能量瞬态事件。这一特性使得它非常适合用于工业控制系统、电源模块和通信接口等对可靠性要求较高的场合。其150V的反向关断电压设计允许其在高压直流系统中稳定运行，同时避免在正常工作电压波动时误触发。击穿电压标称值为167V，在测试电流1mA条件下可确保器件在此电压下开始导通，提供精确的电压阈值控制。一旦发生过压事件，器件能在极短时间内响应并将其钳位在234V以下（在4.3A的峰值电流下），从而有效限制传递到下游电路的能量。
该TVS二极管采用SMB表面贴装封装，具有较小的体积和良好的热性能，适合自动化贴片生产流程，广泛应用于现代紧凑型电子产品中。其机械结构符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容（EMC）标准，支持ESD防护等级高达±30kV（接触放电）。此外，器件具备优良的重复性和长期稳定性，即使在多次浪涌冲击后仍能保持性能不变。其低漏电流特性（最大5μA）确保在待机或低功耗模式下不会对系统造成额外负担，特别适用于高阻抗电路或电池供电系统。
1KSMB150A还具备优异的热管理和散热能力，得益于其封装结构与PCB的良好热连接，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠工作，适应极端环境条件下的应用需求，如户外设备、车载电子和工业现场仪表。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持环保生产工艺。制造商ON Semiconductor提供了完整的数据手册、应用指南和可靠性测试报告，便于工程师进行选型和系统设计验证。
1KSMB150A广泛应用于需要高能瞬态保护的各类电子系统中。典型应用场景包括工业电源输入端口的过压保护，用于防止电网波动、开关瞬变或雷击感应引起的电压尖峰损坏内部电路。在电机驱动器、继电器控制板和PLC模块中，该器件可有效抑制电感负载断开时产生的反电动势，延长系统寿命并提高运行稳定性。在通信设备中，如RS-485、CAN总线或以太网接口，1KSMB150A可用于保护收发器芯片免受外部干扰和静电影响，确保数据传输的完整性与可靠性。
此外，该TVS二极管也常见于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动汽车充电控制系统中，作为直流母线或辅助电源线路的保护元件。在医疗电子设备中，由于其高可靠性和低漏电特性，可用于生命支持系统或监测仪器的电源入口保护。家用电器如空调、洗衣机和智能电表同样采用此类器件来提升整体系统的电磁兼容性和安全性。由于其SMB封装便于布局和回流焊工艺，因此在大批量生产的消费类电子产品中也得到广泛应用。无论是在恶劣工业环境还是日常民用场景，1KSMB150A都能提供稳定可靠的瞬态电压抑制功能，是现代电子系统中不可或缺的保护元件之一。
SMC150A
SMB150A
1N6377
