1HNK60R 时间：2025/7/23 15:08:40 阅读：6

1HNK60R 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关应用。该MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和各种功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了在高频操作下的高效率和稳定性。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：11A（在25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：44A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.27Ω（最大值0.33Ω）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

1HNK60R 的主要特性包括其高击穿电压（600V）和较低的导通电阻，这使其能够在高电压环境下实现较高的能效。该器件的快速开关性能有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，它具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供更可靠的性能。该MOSFET采用东芝的沟槽式工艺，优化了导通电阻与开关速度之间的平衡，适用于高频率开关应用。
　　此外，1HNK60R 还具有良好的热稳定性，可以在高温环境下稳定运行，适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。其封装形式为TO-220，便于安装在散热器上，以提高散热效率，确保在高功率应用中的长期稳定性。

应用

1HNK60R 常用于各种电源管理系统，包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机控制模块、负载开关、LED驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。其高耐压和低导通电阻特性使其在需要高效能、高可靠性的开关电路中表现出色，尤其适用于需要高频工作的应用。此外，该MOSFET也可用于电池管理系统、逆变器和UPS（不间断电源）系统中的功率开关。