类型：隔离式栅极驱动器
　　通道数：1通道
　　隔离电压：5000 Vrms
　　输出驱动电流：最大1.4 A（拉电流/灌电流）
　　输入电源电压：2.5 V至5.5 V
　　输出电源电压范围：15 V至30 V
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装形式：SMD-8（DSO-8）
　　传播延迟：最大200 ns
　　上升时间/下降时间：典型值为30 ns / 20 ns
　　短路保护响应时间：< 1.5 μs
　　去饱和检测功能：支持
　　故障反馈输出：支持
　　工作模式：单通道、非反相

1EDN6550B具备多项先进功能，使其在工业应用中表现出色。
　　首先，该芯片内置电气隔离功能，采用磁耦隔离技术，隔离电压高达5000 Vrms，确保高压侧与低压侧之间安全隔离，适用于高电压系统，如光伏逆变器、电机驱动器和UPS系统。
　　其次，1EDN6550B具有强大的输出驱动能力，最大输出电流可达±1.4 A，支持快速开关操作，减少开关损耗，提高系统效率。
　　此外，芯片集成了去饱和（DESAT）检测机制，能够在IGBT发生短路或过载时迅速关断器件，保护功率开关，防止损坏。该功能还带有软关断机制，以降低关断时的电压尖峰。
　　该芯片还具备宽输入电压范围（2.5 V至5.5 V），可兼容多种控制器接口，如微控制器（MCU）、数字信号处理器（DSP）等。输出侧工作电压范围为15 V至30 V，适用于多种栅极驱动需求。
　　1EDN6550B还支持故障反馈输出，可将短路、欠压锁定（UVLO）等状态反馈至控制器，便于系统进行实时监控和处理。
　　最后，该芯片具备低传播延迟（最大200 ns）和快速上升/下降时间，确保精确的开关控制，适用于高频开关应用。

1EDN6550B广泛应用于需要高可靠性和高效率的功率电子系统中。
　　主要应用领域包括工业电机驱动、伺服驱动器、变频器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电焊设备、感应加热设备以及电动汽车充电系统等。
　　在电机控制中，该芯片可用于驱动高压MOSFET或IGBT，实现高效、快速的功率切换，提高系统响应速度并降低能耗。
　　在可再生能源系统中，如太阳能逆变器，1EDN6550B的高隔离能力和抗干扰性能可有效保障系统的长期稳定运行。
　　此外，该芯片也适用于工业自动化设备中的功率模块控制，如伺服电机、工业机器人等，确保其在高噪声环境下的稳定运行。
　　由于其具备宽输入电压范围和高集成度，1EDN6550B也可用于设计紧凑型、高集成度的功率驱动模块。

1EDN7550B, 1EDI60N12AFXUMA1, UCC21520, HCPL-J312, ACPL-W319