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1EDI60N12AF 发布时间 时间:2025/4/28 18:45:39 查看 阅读:2

1EDI60N12AF是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用DPAK封装,适用于高效率的开关应用,具有低导通电阻和高切换速度的特点。其设计优化了热性能和电气性能,适合在汽车电子、工业控制及消费类电子产品中使用。
  该型号属于CoolMOS系列,利用先进的超结技术实现了卓越的性能表现,特别适合用于DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:60A
  导通电阻:9.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  开关频率:高达500kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

1EDI60N12AF采用了先进的超结技术,具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低功耗。
  2. 高电流处理能力,支持高达60A的连续漏极电流。
  3. 快速开关特性,可实现高频操作,减少磁性元件的体积和成本。
  4. 出色的热性能,确保在高温环境下的可靠运行。
  5. 符合AEC-Q101标准,适合汽车级应用。
  6. 内置反向恢复二极管,提高整体系统效率。
  这些特性使得该MOSFET非常适合需要高效能和高可靠性的应用场景。

应用

1EDI60N12AF广泛应用于各种电力电子领域:
  1. 汽车电子中的DC-DC转换器和启动停止系统。
  2. 工业设备中的逆变器和伺服驱动。
  3. 消费类电子产品中的适配器和充电器。
  4. LED照明驱动电路。
  5. 开关电源(SMPS)和其他高频功率转换应用。
  由于其出色的性能和可靠性,这款MOSFET是许多工程师在设计高性能功率转换系统时的理想选择。

替代型号

1EDI60N12AD, 1EDI60N12AH, IRFB4110TRPBF

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