您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 1DI200Z-140

1DI200Z-140 发布时间 时间:2025/8/9 9:20:36 查看 阅读:25

1DI200Z-140 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中,如变频器、电机驱动器、电源转换系统等。该模块集成了多个 IGBT 芯片,具有高耐压、高电流承载能力以及良好的热稳定性。1DI200Z-140 采用紧凑的封装设计,便于安装和散热管理,适用于工业自动化和新能源领域。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1400V
  最大集电极电流(IC):200A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:模块封装
  短路耐受能力:6μs
  热阻(Rth):约0.25°C/W
  输入电容(Cies):约3000pF
  开关损耗(Eon/Eoff):典型值分别为 2.5mJ 和 4.8mJ

特性

1DI200Z-140 模块具备多项先进特性,确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。
  首先,其最大集电极-发射极电压(VCES)为 1400V,使其适用于中高压电力电子系统,能够有效应对电压波动和负载突变的挑战。最大集电极电流为 200A,表明该模块具有较强的电流承载能力,适用于高功率电机驱动和电源转换器等应用。
  其次,该模块的工作温度范围为 -40°C 至 +150°C,适应各种严苛的环境条件。其热阻(Rth)约为 0.25°C/W,表明其在高功率运行时具备良好的散热能力,有助于延长器件的使用寿命并提高系统稳定性。
  此外,1DI200Z-140 具有较高的短路耐受能力,可承受 6μs 的短路电流冲击,这增强了其在故障条件下的安全运行能力,降低了因短路引发的损坏风险。
  在开关性能方面,1DI200Z-140 的导通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff)分别为 2.5mJ 和 4.8mJ,这表明其在高频开关应用中具有较低的能量损耗,提高了整体系统的能效。同时,输入电容约为 3000pF,保证了模块在高速开关操作中的稳定性和响应速度。
  最后,该模块采用模块化封装设计,便于集成到各种电力电子系统中,并支持模块化散热方案,提高了系统的可维护性和扩展性。

应用

1DI200Z-140 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如,在工业自动化领域,它被广泛用于交流变频器、伺服驱动器和逆变器中,用于控制电机的速度和扭矩;在新能源领域,它可用于光伏逆变器、储能系统和电动汽车充电设备中的功率转换模块;此外,该模块还适用于不间断电源(UPS)、感应加热设备和电焊机等高功率应用设备。其优异的电气性能和良好的热管理能力,使其在这些应用场景中表现出色,提升了整体系统的效率和稳定性。

替代型号

1DI200Z-140 的替代型号包括 Infineon Technologies 的 FF200R12KT4、Fuji Electric 的 2MBI200U4B140-50 以及 Mitsubishi Electric 的 CM200DY-14H。这些型号在电气特性和封装尺寸上与 1DI200Z-140 相似,适用于类似的高功率应用,可根据具体设计需求进行替换。

1DI200Z-140推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价