类型：集成式功率开关
　　最大漏源电压（VDS）：1000V
　　最大连续漏极电流（ID）：200mA
　　工作频率：66kHz（典型值）
　　启动电流：3.6μA（典型值）
　　封装形式：DIP-8 / SMD-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　集成技术：MOSFET + PWM控制器
　　保护功能：过温保护（OTP）、过载保护（OLP）、欠压锁定（UVLO）等

1DI200Z-100E 采用了 Power Integrations 的 EcoSmart? 技术，能够在各种负载条件下实现高能效运行，待机功耗极低，符合全球节能标准。
　　该器件内置高压MOSFET和PWM控制器，极大地简化了电源设计，减少了外围元件数量，提高了系统可靠性。
　　具备自动重启功能，在发生故障（如输出短路或过载）时，系统会自动进入间歇性重启状态，避免损坏。
　　采用频率调制和软开关技术，有效降低EMI干扰，便于通过EMC认证。
　　内部集成多种保护机制，如过热保护、过流保护、输入欠压保护等，提升了系统的安全性和稳定性。
　　支持宽范围输入电压（适用于全球通用输入电压范围85VAC至265VAC），适应性强。

1DI200Z-100E 主要应用于小功率离线式开关电源设计中，适用于以下领域：
　　? 手机、平板、笔记本电脑的充电器
　　? 家用电器的辅助电源
　　? 工业控制设备电源
　　? 智能家居设备电源
　　? LED驱动电源
　　? 安防监控设备电源
　　由于其高集成度和优异的节能特性，该芯片特别适合对体积、效率和可靠性有较高要求的应用场景。

LNK304DN-TL, TNY268PN, VIPER12A