1DI200G-120 是一款由东芝(Toshiba)生产的高耐压、大电流的双极型晶体管(BJT),主要用于高功率开关应用和工业控制领域。这款晶体管具有高电流容量和良好的热稳定性,适用于需要高可靠性和高性能的工业设备和电源系统。
晶体类型:NPN双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):120V
最大集电极电流(IC):200A
最大功耗(PD):300W
电流增益(hFE):5000-20000(在IC=2A, VCE=5V)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
1DI200G-120 具有优异的电流放大能力,能够在高电流条件下保持稳定的性能。
该晶体管采用了高耐压设计,能够承受较高的集电极-发射极电压,适用于高电压应用场景。
其大功率封装(TO-247)确保了良好的散热性能,有助于在高负载条件下保持较低的工作温度,从而提高系统的可靠性和寿命。
此外,1DI200G-120 的电流增益较高,能够在低基极电流条件下实现大电流的开关控制,适合用于高效率的功率放大和开关电路。
该器件的热稳定性良好,能够在高温环境下正常工作,适用于工业自动化、电机控制、电源转换等对可靠性要求较高的场合。
1DI200G-120 主要应用于高功率开关电路、工业电机驱动器、直流电源转换器、逆变器、不间断电源(UPS)系统以及各种需要高电流和高电压控制的工业设备。
由于其优异的电流承载能力和高耐压特性,该晶体管非常适合用于电力电子系统中的功率放大和开关控制。
此外,它也可用于音频放大器、测试设备和自动化控制系统中,提供稳定可靠的功率输出。
TIP142, 2SD2368, MJL21194