时间:2025/12/27 17:41:08
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1A13-NF1STAE 是由 Toshiba(东芝)公司生产的一款肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),主要用于高频开关应用和电源整流电路中。该器件采用紧凑型表面贴装封装(通常为SOD-123FL或类似小型封装),适合在空间受限的高密度印刷电路板(PCB)设计中使用。作为一款额定平均正向电流为1A的二极管,1A13-NF1STAE 在低电压、高效率的DC-DC转换器、便携式电子设备电源管理单元以及反向极性保护电路中表现出色。其低正向导通压降和快速开关特性显著降低了功率损耗,提升了系统整体能效。该型号符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费类电子产品和通信设备等多种应用场景。由于其高频响应能力和较小的反向恢复时间,该二极管特别适合用于开关模式电源(SMPS)中的续流、箝位和整流功能。
类型:肖特基二极管
配置:单个
最大平均正向电流(IF(AV)):1A
峰值重复反向电压(VRRM):30V
最大直流反向电压(VR):30V
最大正向电压(VF)@ 1A:0.52V(典型值),0.62V(最大值)
最大反向漏电流(IR)@ 25°C:0.1mA
最大反向恢复时间(trr):5ns
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
封装/外壳:SOD-123FL
安装类型:表面贴装(SMD)
极性:单阳极-阴极
湿度敏感等级(MSL):1级(≤30°C / 85%RH)
引脚数:2
产品系列:1A13
1A13-NF1STAE 肖特基二极管的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力。由于采用了先进的肖特基势垒结构,该器件在正向导通时的电压降显著低于传统的PN结二极管,典型值仅为0.52V,在1A电流下最大不超过0.62V。这一特性直接减少了导通状态下的功率损耗(P = Vf × If),从而提高了电源系统的转换效率,尤其在低输出电压、大电流的应用场景中效果更为明显。例如,在现代便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的DC-DC转换器中,使用该二极管可以有效降低发热,延长电池续航时间。
此外,该器件具有极短的反向恢复时间(trr ≤ 5ns),几乎不存在少数载流子存储效应,因此在高频开关环境下不会产生明显的反向恢复电流尖峰,避免了由此引发的电磁干扰(EMI)和开关损耗增加问题。这使得1A13-NF1STAE 成为高频开关电源(SMPS)、同步整流辅助电路和高速整流应用中的理想选择。其30V的反向耐压能力适用于12V至24V系统中的续流和反向隔离,广泛应用于适配器、LED驱动电源和工业传感器供电模块。
在封装方面,SOD-123FL是一种超小型表面贴装封装,体积紧凑(约2mm x 1.2mm x 1mm),有助于节省PCB布局空间,同时具备良好的散热性能和机械强度。该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高(需查证具体批次),可用于汽车电子环境。此外,其宽工作结温范围(-55°C 至 +150°C)确保了在极端温度条件下的稳定运行,增强了系统可靠性。整体而言,1A13-NF1STAE 凭借其高效、快速、可靠的特点,在现代电子系统中扮演着关键角色。
1A13-NF1STAE 肖特基二极管广泛应用于各类需要高效、高频整流的电子电路中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流与续流二极管,尤其是在反激式、降压(Buck)和升压(Boost)转换器中作为自由轮转二极管使用,以减少能量损耗并提升效率。该器件也常用于DC-DC转换模块,如POL(Point-of-Load)电源解决方案,为微处理器、FPGA和ASIC等提供稳定的供电路径。在便携式消费类电子产品中,如移动电源、蓝牙耳机、智能手表和无线充电接收器中,该二极管用于电源路径管理和电池充放电保护电路。
此外,1A13-NF1STAE 可作为反向极性保护元件,防止因电源接反而损坏后级电路,广泛应用于USB供电接口、电池仓连接器和外部电源输入端。在LED照明驱动电路中,它可用于防止电流倒灌,确保恒流源正常工作。工业控制领域中,该器件用于PLC模块、传感器供电单元和继电器驱动电路中的续流保护。通信设备如路由器、交换机和基站电源模块也采用此类高性能肖特基二极管以实现高密度集成与高效能转换。由于其小型化封装和高可靠性,该器件同样适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、LED车灯驱动和车身控制模块。
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"RB0520L-40TR",
"SS14",
"SBM130ALT1G",
"BAT54C",
"MBR130",
"SMS13T1G"
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