19N10V 时间：2025/12/27 7:31:29 阅读：17

19N10V是一款N沟道增强型功率MOSFET，通常用于中高功率开关应用。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。19N10V的命名规则中，“19”表示其在特定测试条件下的漏源导通电阻（Rds(on)）典型值范围，“N”代表N沟道类型，“10”表示其漏源击穿电压（BVDSS）为100V，“V”可能为厂商特定的版本标识或封装代码。该器件广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理模块以及消费类电子设备的开关电路中。由于其较高的电压额定值和适中的电流承载能力，19N10V适合在需要耐压性能和效率平衡的应用场景中使用。该MOSFET通常采用TO-220、TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）等功率封装形式，便于散热设计和PCB布局。

参数

型号：19N10V
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：19A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：76A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻Rds(on)：0.055Ω（@Vgs=10V）
　　导通电阻Rds(on)：0.07Ω（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1800pF（@Vds=50V）
　　输出电容（Coss）：480pF（@Vds=50V）
　　反向传输电容（Crss）：110pF（@Vds=50V）
　　栅极电荷（Qg）：45nC（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：150W（@Tc=25°C）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220/TO-252/TO-263

特性

19N10V具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为55mΩ，即使在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下也能保持较低的阻值（70mΩ），这使其兼容3.3V或5V逻辑驱动电路，适用于现代低电压控制环境。器件的高电流承载能力（19A连续漏极电流）使其能够驱动较大负载，适用于电机控制、电源同步整流等高功率密度场景。
　　该MOSFET采用优化的平面工艺技术，确保了良好的热稳定性和可靠性。其最大功耗可达150W（在理想散热条件下），结合良好的热阻特性（Rth(j-c)约为0.83°C/W），能够在高温环境下稳定运行。器件的输入、输出和反向传输电容经过优化，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频开关性能，适用于频率较高的DC-DC变换器拓扑结构，如Buck、Boost和半桥电路。
　　19N10V还具备较强的抗雪崩能力和过压保护特性，漏源击穿电压高达100V，能够在瞬态过压情况下保持安全工作。其栅氧化层设计可靠，可承受±20V的栅源电压，有效防止因驱动异常导致的器件损坏。此外，器件的阈值电压范围合理（2.0V~4.0V），确保在正常工作条件下可靠开启，同时避免误触发。这些特性共同使19N10V成为工业电源、电动车控制器、LED驱动电源等应用中的理想选择。

应用

19N10V广泛应用于各类中高功率电子系统中。在开关电源领域，常用于AC-DC和DC-DC转换器的主开关或同步整流器，尤其适用于Buck降压电路，因其低导通电阻和高效率表现突出。在电机驱动应用中，该器件可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和低功耗控制。此外，在UPS不间断电源、逆变器和太阳能充电控制器中，19N10V也常作为功率开关元件使用，承担能量转换与通断控制功能。
　　在消费类电子产品中，如大功率LED照明驱动、笔记本电脑电源模块、游戏机电源系统等，19N10V凭借其紧凑封装和高效性能被广泛采用。工业控制设备，如PLC模块、继电器驱动电路和电磁阀控制单元，也常利用其高可靠性进行负载切换。在电动车和电动工具领域，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，或作为无刷电机控制器的一部分，实现高效能动力输出。此外，由于其良好的热特性和封装兼容性，19N10V也适用于需要表面贴装或插件安装的自动化生产流程，满足大批量制造需求。