类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：19A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：76A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.085Ω（@VGS=10V, ID=9.5A）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1350pF（@VDS=50V）
　　输出电容（Coss）：350pF
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　最大功耗（PD）：150W（@TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

19N10L采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备优异的导通特性和开关性能。其低导通电阻RDS(on)确保了在大电流工作条件下的低功率损耗，从而提高了系统的整体能效。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为85mΩ，使得它在100V应用中具有较强的竞争力。此外，19N10L具备较高的输入阻抗和快速的开关响应能力，能够有效减少驱动电路的功耗，并支持高频操作，适用于现代开关电源中的硬开关和软开关拓扑结构。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大结温可达150°C，配合适当的散热设计可长期稳定运行。器件内部结构经过优化，具有较强的雪崩能量承受能力，能够在电压突变或感性负载关断时提供一定的保护作用，增强了系统的鲁棒性。同时，19N10L的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为45nC，有助于降低驱动损耗，提高系统效率。
　　19N10L还具备良好的抗噪声干扰能力，栅源阈值电压适中（2.0V~4.0V），避免了因微小信号波动导致误开通的问题。其封装形式如TO-220和TO-252提供了良好的散热性能和机械强度，便于安装在PCB上并连接散热片。此外，该器件符合RoHS环保要求，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重需求。

19N10L广泛应用于各类中等功率电力电子设备中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC变换器和离线式电源模块，利用其高效率和快速开关特性提升电源转换效率。在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机的H桥驱动电路中，实现正反转和调速控制，尤其适用于电动工具、家用电器和小型工业设备。
　　此外，19N10L也常用于逆变器电路、LED恒流驱动电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及太阳能充电控制器等新能源相关应用。其100V的耐压能力使其适用于48V系统或更高电压平台的辅助电源管理。在汽车电子中，可用于车载照明、风扇控制、继电器驱动等场景，得益于其宽工作温度范围和较高的可靠性。
　　由于其良好的动态性能和较低的导通损耗，19N10L也被用于UPS不间断电源、电信电源模块和工业自动化控制系统中。在消费类电子产品中，如显示器电源板、打印机电源模块等也有广泛应用。其紧凑的封装形式便于集成到空间受限的设计中，是中功率开关应用中的优选器件之一。

IRFZ44N, FQP19N10L, STP19N10F, GBU19N10L, TK19N10U