型号：19N10
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：19A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：76A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.055Ω @ Vgs=10V, Id=9.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω @ Vgs=4.5V, Id=9.5A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=50V
　　输出电容（Coss）：400pF @ Vds=50V
　　反向恢复时间（trr）：38ns
　　最大功耗（Pd）：150W @ 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-263

19N10的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为55mΩ左右，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。这一特性尤其适用于高电流应用场景，如大功率LED驱动或DC-DC降压变换器。低Rds(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化散热设计，降低系统整体成本。此外，该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持相对较低的导通电阻，表明其具备良好的驱动兼容性，可直接由3.3V或5V逻辑电路驱动，无需额外的电平转换或专用驱动芯片。
　　另一个关键特性是其高开关速度。19N10具有较小的输入和输出电容，输入电容（Ciss）约为1300pF，输出电容（Coss）约为400pF，在高频开关应用中表现出色。较小的电容意味着栅极充电和放电所需的时间更短，从而实现更快的开通和关断速度，减少开关过程中的交越损耗。这对于提高开关电源的工作频率、减小滤波元件体积具有重要意义。同时，较短的反向恢复时间（trr=38ns）也降低了体二极管在反向恢复过程中引起的损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统整体的能效和电磁兼容性。
　　19N10还具备良好的热稳定性和可靠性。其最大功耗可达150W（在25°C环境下），结温范围宽达-55°C至+150°C，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。器件内部结构经过优化，具有较高的抗雪崩能量能力，能够在电压瞬变或感性负载切换时提供一定程度的自我保护。此外，TO-220或TO-263封装提供了优良的散热路径，便于通过散热片将热量传导至外部环境，确保长期工作的可靠性。这些特性使得19N10不仅适用于常规工业电源，也能胜任汽车电子或户外设备中的严苛应用需求。

19N10广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效、高可靠性的开关模式电源（SMPS）中表现突出。常见应用包括AC-DC适配器、离线式反激电源、正激变换器以及有源钳位反激拓扑等。在这些应用中，19N10作为主开关管使用，负责将输入的高压直流或整流后的交流电压进行高频斩波，以实现高效的能量传输和电压调节。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升电源的整体转换效率，并满足节能标准要求。
　　在DC-DC转换器领域，19N10常用于同步降压（Buck）电路中作为高端或低端开关。例如，在服务器电源、笔记本电脑供电模块或电池管理系统中，该器件能够高效地将较高的母线电压（如48V或24V）降至负载所需的低压（如5V或3.3V）。由于其支持大电流通过，适合用于高功率密度设计，有助于缩小电源模块的体积。
　　此外，19N10也适用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为功率开关元件。其快速响应能力和高电流承载能力使得电机启停更加平稳，动态响应更佳。在电动车控制器、电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）中均有潜在应用。
　　其他应用还包括LED照明驱动电源、太阳能逆变器中的辅助电源、电焊机电源模块以及UPS不间断电源系统。在这些场合中，19N10凭借其稳定的电气性能和较强的环境适应能力，成为设计师优选的功率开关器件之一。

IRF19N10
　　FQP19N10
　　STP19N10FZ
　　SPW19N10