190N65G3E是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高电压应用。该器件由先进的沟槽栅极和场截止技术制造,具备较低的导通电阻和较高的效率。它适用于各种电力电子系统,包括开关电源(SMPS)、逆变器、电机控制以及工业自动化设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):650V
漏极电流(ID):190A
导通电阻(RDS(on)):18mΩ(最大)
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-247
190N65G3E具有多项显著的技术特性,使其在高功率应用中表现优异。首先,其导通电阻(RDS(on))非常低,最大仅为18mΩ,这有效降低了导通损耗,提高了系统效率。
其次,该MOSFET的漏源电压(VDS)为650V,漏极电流(ID)高达190A,使其适用于高电压和高电流的环境,如工业电源、电机驱动和能源转换系统。
此外,190N65G3E采用先进的沟槽栅极技术和场截止结构,显著降低了开关损耗,同时提高了器件的稳定性和可靠性。这种设计也有助于在高频开关条件下保持较低的电磁干扰(EMI)。
器件的栅极电压范围为±20V,提供了良好的栅极驱动兼容性,支持常见的驱动电路设计。同时,它的工作温度范围为-55°C至175°C,具备出色的热稳定性,适用于严苛的工业环境。
最后,190N65G3E采用TO-247封装,具备良好的散热性能,能够有效降低工作温度,延长器件的使用寿命。
190N65G3E主要应用于高功率电子设备中,包括但不限于以下领域:开关电源(SMPS)中作为主功率开关,用于提高转换效率并降低能耗;工业逆变器中用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器或不间断电源(UPS)系统;电机控制和驱动电路中,作为高电流开关以控制电机的运行;此外,该器件还可用于电动汽车充电设备、电池管理系统(BMS)以及其他高功率工业自动化设备。
STW190N65K3AG, IPW190N65G3E