类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　漏极电流（ID）：190A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（最大）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

190N65G3E具有多项显著的技术特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，其导通电阻（RDS(on)）非常低，最大仅为18mΩ，这有效降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　其次，该MOSFET的漏源电压（VDS）为650V，漏极电流（ID）高达190A，使其适用于高电压和高电流的环境，如工业电源、电机驱动和能源转换系统。
　　此外，190N65G3E采用先进的沟槽栅极技术和场截止结构，显著降低了开关损耗，同时提高了器件的稳定性和可靠性。这种设计也有助于在高频开关条件下保持较低的电磁干扰（EMI）。
　　器件的栅极电压范围为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，支持常见的驱动电路设计。同时，它的工作温度范围为-55°C至175°C，具备出色的热稳定性，适用于严苛的工业环境。
　　最后，190N65G3E采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件的使用寿命。

190N65G3E主要应用于高功率电子设备中，包括但不限于以下领域：开关电源（SMPS）中作为主功率开关，用于提高转换效率并降低能耗；工业逆变器中用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统；电机控制和驱动电路中，作为高电流开关以控制电机的运行；此外，该器件还可用于电动汽车充电设备、电池管理系统（BMS）以及其他高功率工业自动化设备。

STW190N65K3AG, IPW190N65G3E