型号：18N50L
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：18A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：72A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.22Ω（@Vgs=10V, Id=9A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值65nC
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF
　　输出电容（Coss）：典型值150pF
　　反向恢复时间（trr）：无（非体二极管主导应用）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F/TO-3P

18N50L具备出色的高压阻断能力，其500V的漏源击穿电压使其适用于多种离线式电源设计场景。该器件采用优化的平面场效应晶体管工艺，在保证高电压耐受的同时，实现了相对较低的导通电阻，从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体能效。其Rds(on)典型值为0.22Ω，在同类500V N沟道MOSFET中处于较优水平，能够有效减少发热并提升负载驱动能力。此外，18N50L的栅极电荷（Qg）控制在65nC左右，这一数值在高电压MOSFET中属于中等偏低水平，意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，有利于简化驱动电路设计并降低开关损耗。该器件还具备良好的跨导特性和稳定的阈值电压范围（2.0V~4.0V），确保在不同温度和工作条件下均能可靠开启与关断。
　　18N50L具有优异的雪崩能量耐受能力和坚固的封装结构，能够在瞬态过压或短路事件中维持一定的安全裕度。其内部寄生体二极管虽然存在，但未针对快速恢复进行优化，因此在需要反向续流的应用中建议配合外部快恢复二极管使用。该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业环境要求，并可通过标准TO-220封装实现有效的热量传导。此外，18N50L符合RoHS环保规范，不含铅和有害物质，适用于现代绿色电子产品设计。制造商通常还会对产品进行100%的高压测试和可靠性筛选，以确保批次一致性与长期稳定性。这些综合特性使18N50L成为中小功率开关电源领域中一款值得信赖的核心开关元件。

18N50L广泛应用于各类中低功率开关模式电源系统中，尤其是在需要500V耐压等级的离线式电源设计中表现突出。常见应用包括AC-DC适配器、手机及笔记本电脑充电器、LED驱动电源、小型逆变器、UPS不间断电源以及家用电器中的辅助电源模块。在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，18N50L常作为主开关管使用，负责将整流后的高压直流电进行高频斩波，以实现变压器的能量传递与电压变换。由于其具备较高的电流承载能力和良好的开关特性，也适用于DC-DC升压或降压转换器中的功率级控制，特别是在太阳能控制器、电动工具电源管理等领域有所应用。
　　此外，18N50L还可用于电机驱动电路中作为低端开关，控制直流电机或步进电机的通断操作，尤其适用于轻载或中等负载场合。在电子镇流器和节能灯电源中，该器件可用于构成半桥或全桥拓扑的开关单元，实现高频交流输出以驱动荧光灯管。工业控制设备中的继电器驱动、电磁阀控制等功率切换任务也可借助18N50L完成。得益于其标准化封装和良好散热性能，18N50L易于集成到PCB板上，并可通过散热片进一步提升功率处理能力。在通信设备、测量仪器和医疗电子产品的辅助电源部分，该器件同样因其高可靠性和成本效益而被广泛采用。总之，凡是涉及500V以内高压开关操作且对效率和稳定性有一定要求的应用场景，18N50L都是一个实用且经济的选择。

K18N50E, FQP18N50, STW18N50, G18N50, AP18N50L