时间：2025/7/3 23:40:25
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1812N221G302CT 是一种表面贴装技术 (SMT) 的陶瓷电容器，属于 C0G/NP0 类介质材料的电容器系列。该型号的尺寸为 1812 英寸（约 4.57mm x 3.05mm），具有高稳定性和低温度漂移特性，适用于对频率和温度稳定性要求较高的电路设计。
这种电容器广泛用于滤波、耦合、退耦和振荡电路等应用中，特别是在高频场景下表现出色。
封装：1812
介质材料：C0G/NP0
额定电压：300V
标称电容值：22pF
公差：±5%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
ESR（等效串联电阻）：低
DF（耗散因数）：低
1812N221G302CT 具有以下显著特性：
1. 高频性能优异：由于采用 C0G 介质材料，该电容器在高频条件下保持稳定的电容值，且具有极低的损耗。
2. 温度稳定性：在 -55℃ 至 +125℃ 的温度范围内，其电容值变化非常小，通常小于 ±30ppm/℃。
3. 小型化设计：1812 封装使其适合高密度 PCB 布局。
4. 高可靠性：NP0 介质材料确保了长期使用中的高可靠性，非常适合工业和军事级应用。
5. 低 ESR 和 DF：有助于减少信号失真并提高整体系统性能。
该型号电容器的应用领域包括：
1. 滤波器设计：特别适合于 RF 滤波器和音频滤波器。
2. 耦合与退耦：用于电源线路中的噪声抑制。
3. 振荡电路：作为晶振负载电容或定时电路的一部分。
4. 工业控制设备：如 PLC 和数据采集系统中的高频信号处理。
5. 通信设备：包括基站、卫星接收器和其他无线通信装置。
6. 医疗电子：例如超声波设备和监护仪等需要高精度和稳定性的场合。
1812C221G302CT, Kemet C1812C221G3R5TA, TDK C3216X5R1H221K
