1808N390G202CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频和高功率密度应用设计。该器件采用先进的 GaN 工艺制造,具备低导通电阻、高开关速度和高耐压能力等特性。其封装形式为行业标准的表面贴装型,便于自动化生产和高效散热。
型号:1808N390G202CT
类型:增强型场效应晶体管 (e-mode FET)
材料:氮化镓 (GaN)
额定电压:650 V
额定电流:30 A
导通电阻:15 mΩ(典型值)
栅极电荷:45 nC(最大值)
输入电容:1500 pF(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:1808 表面贴装
1808N390G202CT 具有卓越的性能表现,主要特性包括:
- 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效减少导通损耗。
- 高速开关能力,支持高达数 MHz 的开关频率,适合高频应用。
- 内置保护功能,如过温保护和短路保护,提高系统可靠性。
- 小尺寸封装,有助于实现紧凑型电路设计。
- 良好的热性能,确保在高功率场景下稳定运行。
- 支持硬开关和软开关拓扑结构,兼容多种电路架构。
该器件适用于广泛的功率转换和电源管理领域,典型应用场景包括:
- 开关电源 (SMPS) 和 AC/DC 转换器
- DC/DC 转换器
- 无线充电模块
- 电机驱动器
- 太阳能逆变器
- 快速充电器
- 数据中心电源供应
- 电动汽车充电设备
- 工业电源系统
1808N390G102CT, 1808N390G302CT