时间：2025/5/23 12:51:17
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1808HC681KAT1A 是一款基于铁电随机存取存储器 (FRAM) 技术的非易失性存储芯片。该器件结合了RAM的速度和灵活性与ROM的非易失性特性，能够在断电后保存数据。它采用SOIC-8封装形式，具有高读写耐久性和低功耗的特点，适用于需要频繁数据记录和实时存储的应用场景。
FRAM技术相比传统EEPROM和闪存具有更快的写入速度、更高的写入次数以及更低的功耗，因此在工业控制、数据记录仪、医疗设备等领域得到广泛应用。
封装：SOIC-8
容量：256 x 8 bits (256字节)
工作电压：1.8V至3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保留时间：超过10年
读/写周期：10^12次
接口类型：并行接口
存取时间：70ns（典型值）
组织结构：8位x32页
1808HC681KAT1A的核心特性在于其使用了FRAM技术，使得其具备以下优势：
1. 高速写入能力：FRAM无需擦除操作即可直接写入数据，大大提升了写入速度，适合频繁数据更新的场合。
2. 超高耐用性：支持高达10^12次的读写周期，远远超过传统EEPROM和闪存的寿命限制。
3. 低功耗：FRAM的工作电流非常低，在写入操作时尤其明显，这使其非常适合电池供电设备。
4. 快速恢复：即使突然断电，FRAM也能立即恢复到断电前的状态，保证数据完整性。
5. 小型化设计：SOIC-8封装便于集成到空间受限的应用中。
由于其卓越的性能，1808HC681KAT1A广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化：用于数据日志记录、参数配置存储等。
2. 医疗设备：如血糖仪、心率监测仪等需要频繁存储数据的场合。
3. 计量设备：例如智能仪表中的用电量、用水量记录模块。
4. 消费类电子产品：如打印机缓存、数码相机设置保存等。
5. 物联网设备：适用于需要长时间运行且对功耗敏感的IoT节点。
1808HC681KAT1B, MB85RC256V, FM25L04B
