型号：1808B102K152LT
　　制造商：Vishay Intertechnologies
　　类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　封装尺寸：1808（4.5 mm x 2.0 mm）
　　电容值：1000 pF（1 nF）
　　容差：±10%
　　额定电压：15 kV DC
　　电介质材料：C0G（NP0）
　　温度系数：0 ±30 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ 或 RC ≥ 1000 s（典型）
　　介质耐压：可承受短时高于额定电压的脉冲
　　老化率：不适用（C0G 材料无老化效应）
　　结构：表面贴装（SMD）
　　端接类型：贵金属电极（NME），可焊性优良
　　符合标准：RoHS 合规，AEC-Q200（部分等级）

1808B102K152LT 采用 C0G（NP0）类电介质材料，这是目前最稳定的陶瓷电介质之一，具备近乎理想的线性电容-温度关系。在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度范围内，电容值的变化不超过 ±30 ppm/°C，这意味着即使在极端环境条件下，其电容值也能保持高度一致，不会因温度波动而导致电路失准。这种极高的热稳定性使其非常适合用于精密振荡电路、滤波网络、谐振匹配网络以及需要长期稳定运行的传感器信号调理电路中。与X7R、Y5V等高介电常数但稳定性较差的材料相比，C0G虽然容量密度较低，但其电气性能的可预测性和重复性远超其他类型，特别适用于对精度要求严苛的应用场景。
　　该器件具有高达15 kV的直流额定电压，属于高压MLCC范畴，能够在持续高压环境中可靠工作。这一特性使得它在诸如X射线发生器、激光驱动电源、静电除尘、高压偏置电路和电容分压器中发挥关键作用。其内部多层结构经过优化设计，以均匀分布电场并防止局部击穿，同时采用高纯度陶瓷介质和致密烧结工艺，提升了整体绝缘强度和抗电弧能力。此外，1808B102K152LT拥有极高的绝缘电阻（通常大于10,000 MΩ），意味着漏电流极小，在微安甚至纳安级别，这对于高阻抗电路或长时间积分型电路至关重要，能有效避免电荷泄漏导致的误差累积。
　　作为一款表面贴装器件，1808B102K152LT支持自动化贴片和回流焊接工艺，兼容现代SMT生产线。其端子采用贵金属电极（如镍/锡镀层），具有良好的可焊性和耐腐蚀性，可在多次热循环下保持连接可靠性。尽管体积相对较大（1808尺寸），但在同类高压电容中已属紧凑设计，便于在空间受限的高压模块中布局。该产品还表现出优异的抗湿性和机械稳定性，能够抵御潮湿环境下的性能退化，并通过了严格的寿命测试和耐久性验证，确保在恶劣工业环境中的长期服役能力。

1808B102K152LT 主要应用于对电容稳定性、耐压能力和长期可靠性要求极高的电子系统中。常见使用场景包括高压电源中的滤波与去耦，例如在X射线成像设备、质谱仪、粒子加速器等科学仪器中，用于稳定高压直流总线并抑制高频噪声。在医疗设备如除颤器和MRI系统的前置电路中，该电容器可用于精确的定时控制和信号耦合，因其低损耗和无老化特性可保障治疗安全与数据准确性。
　　在工业领域，该器件被广泛用于高压变频器、绝缘监测装置、电晕处理设备以及静电喷涂控制系统中，承担储能、耦合或反馈功能。其高绝缘电阻和低漏电流特性也使其成为高阻抗探头、精密电压检测电路和电荷放大器的理想选择，尤其是在皮安级电流测量系统中，能显著降低背景干扰。
　　在通信与射频系统中，1808B102K152LT 可用于UHF及以上频段的匹配网络和滤波器构建，得益于C0G材料的低介电损耗（tan δ < 0.1%）和稳定的频率响应，有助于维持天线前端或功率放大链路的效率与带宽一致性。此外，在航空航天与国防电子系统中，该电容常用于雷达脉冲整形电路、电子对抗设备和卫星电源管理单元，满足严苛的环境适应性和长寿命需求。

HV251C0G152K1808AB
　　1808YC102K152T