17S10LVC 时间：2025/12/26 13:23:16 阅读：18

17S10LVC是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管阵列，专为高速开关和低压应用而设计。该器件采用双通道配置，内部集成了两个独立的肖特基二极管，具备低正向压降和快速反向恢复时间的特性，适用于电源管理、信号整流和ESD保护等多种场景。17S10LVC采用先进的半导体工艺制造，确保在高频工作条件下仍能保持高效性能。其封装形式为SOT-23（Small Outline Transistor），体积小巧，适合高密度贴装的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等。由于肖特基二极管的金属-半导体结结构，17S10LVC相较于传统的PN结二极管具有更低的导通损耗和更高的转换效率，特别适用于电池供电系统中对功耗敏感的应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。17S10LVC还具备良好的热稳定性和可靠性，在宽温度范围内均可稳定工作，增强了系统的整体耐用性。

参数

类型：双肖特基二极管
　　极性：双阳极共阴或双阴极共阳（具体需参考数据手册）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1A
　　正向压降（VF）：典型值450mV @ 100mA
　　反向漏电流（IR）：最大10μA @ 25°C
　　反向恢复时间（trr）：≤5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

17S10LVC的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，使得器件在正向导通时表现出极低的压降特性，通常在450mV左右（@100mA），显著低于传统硅PN结二极管的0.7V压降水平。这一特性直接降低了功率损耗，提高了电源转换效率，尤其在低电压、大电流的便携式设备电源路径中至关重要。例如，在USB供电或电池充放电管理电路中，使用17S10LVC可以有效减少热量产生，提升系统能效。此外，由于其金属-半导体结的物理机制，该器件不具备少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短，典型值小于5ns，使其非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器中的续流或箝位二极管。
　　另一个关键特性是其紧凑的SOT-23封装，仅为三引脚的小型表面贴装器件，极大节省了PCB布局空间，适用于高度集成的消费类电子产品。尽管体积小，但其热性能经过优化设计，能够在-55°C至+125°C的结温范围内稳定运行，适应严苛的工作环境。同时，器件具备良好的ESD耐受能力，有助于提升系统在静电敏感环境下的可靠性。17S10LVC还具有较低的反向漏电流，在常温下最大仅为10μA，确保在待机或低功耗模式下不会因漏电造成不必要的能量浪费。综合这些电气与物理特性，17S10LVC成为现代高效、小型化电子系统中理想的二极管解决方案。

应用

17S10LVC广泛应用于各类需要高效、小型化整流与保护功能的电子系统中。在电源管理领域，常用于线性稳压器或开关电源中的反向极性保护、防止电池反接损坏主控芯片；也可作为DC-DC变换器中的续流二极管，利用其快速恢复特性和低VF值提升转换效率。在便携式设备中，该器件可用于USB接口的电源路径控制，防止外部电源与电池之间的倒灌电流。此外，在信号处理电路中，17S10LVC可用于高频信号的整流与检波，得益于其快速响应能力，能够准确捕捉瞬态信号变化。
　　在通信接口保护方面，17S10LVC也发挥着重要作用，例如在I2C、SPI等低速数字总线上作为钳位二极管，将过压尖峰导向电源或地，从而保护后级敏感IC免受瞬态电压冲击。由于其双二极管结构，还可用于构建双方向的电压限幅电路，增强系统的鲁棒性。在汽车电子和工业控制领域，尽管单个电流承载能力有限，但在传感器信号调理模块或低功率控制单元中仍可作为可靠的保护元件。此外，因其符合RoHS和无铅要求，适用于出口型电子产品及绿色能源设备的设计。总而言之，17S10LVC凭借其高性能与小型化优势，已成为消费电子、通信、工业和汽车等多个行业中不可或缺的基础元器件之一。