类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：17 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：70 A
　　导通电阻（Rds(on)）：12 mΩ @ Vgs = 10 V
　　导通电阻（Rds(on)）：15 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　栅极电荷（Qg）：48 nC @ Vgs = 10 V
　　输入电容（Ciss）：2300 pF @ Vds = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：46 ns
　　二极管正向电流（Is）：17 A
　　功率耗散（Ptot）：150 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装形式：TO-220FP 或类似功率封装

17P12的核心优势在于其低导通电阻与高电流处理能力的结合，这使得它在高频开关应用中表现出色。其典型的Rds(on)仅为12毫欧姆，这意味着在大电流通过时产生的导通损耗极低，从而显著提高系统整体效率并减少散热压力。该器件的高漏源击穿电压（100V）使其适用于多种中压电源系统，如车载电子、工业电源模块及太阳能逆变器等场景。
　　另一个重要特性是其出色的动态性能。17P12具有较低的栅极电荷（Qg=48nC），有助于降低驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，减少开关过程中的过渡损耗。这对于提升DC-DC变换器或电机驱动器的能效至关重要。同时，输入电容较小也意味着对驱动信号的响应更快，有利于实现更高的PWM调制频率。
　　热管理方面，17P12采用TO-220FP这类具有良好散热性能的封装，能够有效将芯片内部热量传导至外部散热片，确保长时间满负荷运行下的可靠性。其最大允许功耗可达150W，并支持高达175°C的工作结温，展现出卓越的耐高温能力。
　　此外，该MOSFET内置体二极管具备较快的反向恢复时间（trr=46ns），可在桥式电路或感性负载切换过程中提供有效的续流路径，避免因反向恢复引起电压尖峰而导致器件损坏。这种集成特性不仅简化了外围电路设计，还提高了系统整体的安全性与稳定性。

17P12常被用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效开关操作和高电流承载能力的应用场合。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）、同步整流电路、DC-DC升压/降压转换器以及电池供电设备中的功率控制模块。由于其具备较高的电压和电流规格，该器件也广泛应用于电动工具、无人机动力系统、小型电动车辆的电控单元以及工业自动化控制系统中。
　　在新能源领域，17P12可用于太阳能微逆变器或储能系统的功率级设计，承担能量转换与调节任务。其快速开关特性和低导通损耗有助于最大化能源利用效率。此外，在电机驱动应用中，例如直流无刷电机（BLDC）或步进电机控制器中，17P12可作为H桥结构中的主开关元件，实现精确的速度与扭矩控制。
　　由于其坚固的结构设计和宽泛的工作温度范围，17P12同样适用于恶劣环境下的工业设备，如PLC模块、继电器替代电路以及智能配电系统。在这些系统中，它不仅能承受频繁的开关应力，还能抵抗一定的电磁干扰和热冲击，保障长期可靠运行。

STP17N10F7
　　IRFZ44N
　　FQP17N10