时间：2025/12/27 8:41:11
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17N50K-MT是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F或类似的通孔封装形式，广泛应用于开关电源、DC-AC转换器、电机驱动以及各类中高功率电子设备中。该器件设计用于在高电压条件下实现高效的电能转换和控制，具备优良的热稳定性和可靠性。其名称中的“17N”表示该系列为N沟道结构，“50”代表其漏源击穿电压为500V，“K”通常表示特定的导通电阻等级或产品分档，“-MT”则可能指代封装类型或环保规格（如无铅处理）。17N50K-MT凭借较高的安全工作区（SOA）、良好的雪崩能量承受能力以及较低的栅极电荷特性，在工业控制与电源管理系统中具有较高的实用价值。此外，该器件兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与各种驱动IC或微控制器接口直接连接，提升了系统集成度和设计灵活性。由于其优异的性能参数和成本效益，17N50K-MT常被用作其他品牌类似规格MOSFET的替代型号，适用于需要高效、紧凑且可靠功率开关解决方案的应用场景。
型号：17N50K-MT
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：17A @ 25°C
脉冲漏极电流（Idm）：68A
导通电阻（Rds(on)）：0.29Ω @ Vgs=10V
栅源阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 5V
最大功耗（Pd）：150W
输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：180pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：45ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220F
17N50K-MT具备出色的电气性能和热管理能力，能够在高达500V的漏源电压下稳定工作，适用于高压开关电源系统。其低导通电阻（典型值0.29Ω）有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，特别适合持续大电流工作的应用场景。该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达17A，脉冲电流更可达到68A，表明其在瞬态负载变化时仍能保持良好响应。
该MOSFET采用先进的平面工艺制造，确保了器件的一致性和长期可靠性。其栅极结构经过优化设计，输入电容仅为1300pF左右，有助于减少驱动电路的负担，提升开关速度，从而降低开关损耗。同时，输出电容较小（约180pF），进一步增强了高频工作的适应性。反向恢复时间短至45ns，说明体二极管的恢复特性较优，有助于减少换流过程中的能量损耗和电磁干扰问题。
在安全运行方面，17N50K-MT拥有宽广的安全工作区（SOA），能够承受一定程度的过载和瞬态应力，适用于电机启动、感性负载切换等复杂工况。其最大功耗达150W，并可通过外接散热片将热量有效传导出去，保障长时间运行的稳定性。器件的工作结温范围从-55°C到+150°C，表现出良好的环境适应能力，可在高温工业环境中可靠运行。此外，TO-220F封装具备良好的机械强度和焊接性能，适用于波峰焊和手工焊接等多种装配方式，有利于提高生产效率和良品率。
17N50K-MT广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器、PC电源模块等，作为主开关管或同步整流器件使用。在DC-AC逆变器中，例如太阳能逆变器、UPS不间断电源和正弦波逆变电源中，该MOSFET可用于H桥拓扑结构中实现高效交流输出。此外，在电机驱动领域，尤其是小功率直流电机或步进电机控制系统中，17N50K-MT可作为功率开关元件进行启停和调速控制。
该器件也适用于LED恒流驱动电源、电子镇流器、感应加热设备以及各类工业自动化控制设备中的功率切换模块。由于其具备较高的耐压能力和较强的抗浪涌能力，因此在电网波动较大或存在较多电气噪声的环境中依然能够稳定工作。同时，因其封装形式为通孔式TO-220F，便于安装散热片，适合对散热要求较高的应用场合。在消费类电器如空调、洗衣机、电磁炉等产品的内部控制电路中，也可用于继电器替代或无触点开关设计，以提升系统寿命和响应速度。总之，17N50K-MT凭借其高性能与高性价比，成为众多中高端功率应用中的理想选择之一。
IRFBC40, FQP50N06, STP17N50, 17N50, 17N50F
