型号：16VT200U
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装/包：PowerPAK SO-8
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：23 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：90 A
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：4.7 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@2.5V VGS：6.5 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@1.8V VGS：9.5 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.1 V，最大值1.5 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 1150 pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：典型值 425 pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 10 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻结至外壳（RθJC）：典型值 1.0 °C/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）

16VT200U采用Vishay先进的TrenchFET?沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。这种工艺通过在硅片上构建垂直导电沟道结构，显著增加了单位面积内的有效沟道数量，从而大幅降低了RDS(on)，同时保持了较小的芯片尺寸。这使得器件在大电流应用中能够有效减少传导损耗，提升系统效率。例如，在4.5V栅压下，其典型RDS(on)仅为4.7mΩ，即便在2.5V甚至1.8V的低栅压条件下仍能维持较低的导通阻抗，展现出良好的低压驱动能力，适用于由电池供电或使用低电压逻辑信号控制的应用场景。
　　该器件具有非常低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，不仅减轻了驱动电路的负担，也减少了开关过渡期间的能量损耗。结合较低的输入和输出电容，16VT200U特别适合用于高频DC-DC变换器拓扑，如同步整流Buck或Boost电路，能够在数十万赫兹乃至兆赫级别的开关频率下保持高效运行。此外，其快速的开关响应能力和短小的反向恢复时间（trr约10ns）有效抑制了体二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰，提高了系统的EMI性能和稳定性。
　　PowerPAK SO-8封装是一种无引线表面贴装封装，相比传统SO-8封装提供了更低的热阻和寄生电感，有利于散热和高速开关操作。该封装结构将芯片背面金属化层直接连接到PCB上的大面积铜箔，实现高效的热传导路径，从而允许器件在高功率密度条件下持续工作而不发生过热。同时，这种封装形式减小了封装体积，适应现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。综合来看，16VT200U以其卓越的电气性能、可靠的热管理和紧凑的封装设计，成为高性能电源系统中的理想选择。

16VT200U因其出色的低导通电阻、高电流承载能力和优良的开关特性，被广泛应用于多种电源和功率控制场合。典型应用包括同步降压（Buck）转换器中的上下桥臂开关管，尤其适合作为次级侧同步整流器以替代肖特基二极管，从而显著提升转换效率并降低温升。在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备的电源管理系统中，该器件常用于电池充放电控制、负载开关、电源路径管理以及多相电压调节模块（VRM）中，帮助延长续航时间并提高能源利用率。
　　在通信基础设施领域，16VT200U可用于基站电源单元、光模块供电电路和网络交换设备中的DC-DC中间母线转换器，满足对高功率密度和高可靠性的需求。此外，它还适用于服务器和数据中心的板载电源系统，特别是在POL（Point-of-Load）电源架构中作为关键开关元件，支持处理器、FPGA和ASIC等高性能芯片的动态供电需求。工业自动化控制系统、PLC模块、电机驱动电路以及LED照明驱动电源也是其常见应用场景。得益于其宽泛的工作温度范围和稳定的电气参数，该器件可在恶劣工业环境中长期稳定运行。另外，由于其具备良好的雪崩耐量和抗瞬态冲击能力，也可用于汽车电子辅助电源系统（非主驱部分）或车载信息娱乐设备的电源设计中。

SiR161DP-T1-GE3
　　AOZ5205PQI-01L