时间：2025/6/19 6:10:11
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16TQC100MYF是一款高精度、低功耗的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关性能和导通特性，广泛应用于各种电力电子设备中。
该芯片以其优异的耐热特性和稳定性著称，能够满足多种工业和消费类应用需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻：8.5mΩ
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
16TQC100MYF具有较低的导通电阻，能够在高频条件下实现高效的能量转换。
其具备快速开关能力，同时拥有优化的反向恢复时间，非常适合于开关电源、电机驱动等场景。
另外，该芯片还提供了强大的过流保护和短路保护功能，确保在极端条件下的安全运行。
此外，其封装形式紧凑，便于系统集成并节省空间。
这款MOSFET主要应用于直流-直流转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、电机控制、LED照明驱动以及各类负载开关场景。
它特别适用于需要高效率和高可靠性的场合，如工业自动化设备、电动汽车充电装置及家用电器中的电源管理部分。
16TQC100NFH, IRFZ44N, FQP16N10
