时间：2025/5/24 19:36:46
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16SVPK680M 是一种功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等高效率电力电子应用中。该芯片采用 SVP 封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合在高频条件下工作。
这款器件通过优化栅极电荷和输出电容参数，在保证较低损耗的同时提升了系统性能。
最大漏源电压：680V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：70nC
总电容：2300pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SVP
16SVPK680M 提供了出色的开关性能和耐用性，其主要特性包括：
1. 高击穿电压（680V），能够承受高电压条件下的运行环境。
2. 极低的导通电阻（0.15Ω），有助于减少传导损耗并提高能效。
3. 低栅极电荷设计，减少了开关损耗，使它非常适合高频应用。
4. 较小的封装尺寸，便于实现紧凑型电路设计。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），确保在极端条件下依然可靠运行。
6. 稳定的动态参数和抗雪崩能力，增强了系统的安全性与稳定性。
16SVPK680M 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的开关器件。
4. 电池管理系统中的负载切换控制。
5. 光伏逆变器以及其他新能源相关设备中的功率转换模块。
6. 工业自动化领域中的各种高频开关应用。
16SVPK680N, IRFP660G, STP16NK60Z
