时间：2025/12/27 8:36:38
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16N50L-TC是一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种中高功率电子系统中。该器件采用TO-220封装形式，具备良好的热稳定性和电气隔离性能，适合在工业控制、消费电子及电源管理领域使用。其设计目标是实现低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和高效率的能量转换，从而降低系统功耗并提升整体能效。16N50L-TC中的“16”代表其最大连续漏极电流约为16A，“50”表示其漏源击穿电压为500V，“L”通常指低栅极电荷或优化的开关特性，“TC”可能为厂商特定的封装或工艺代号。该器件工作于电压控制模式，仅需较小的栅极驱动电流即可实现完全导通，因此非常适合与数字控制器（如MCU、PWM控制器）直接接口。此外，该MOSFET具有较高的输入阻抗和良好的抗噪声能力，能够在高频开关条件下保持稳定运行。由于其优异的性能参数和可靠性，16N50L-TC常被用于AC-DC适配器、LED照明电源、逆变器电路以及电动工具电源模块等应用场合。
型号：16N50L-TC
封装类型：TO-220
晶体管极性：N沟道
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：16A
脉冲漏极电流（IDM）：64A
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值约0.22Ω @ VGS=10V, ID=8A
阈值电压（VGS(th)）：典型值2.0V～4.0V
栅极电荷（Qg）：典型值约50nC @ VDS=400V, ID=16A
输入电容（Ciss）：典型值约1100pF @ VDS=25V
输出电容（Coss）：典型值约150pF
反向恢复时间（trr）：无（适用于非体二极管主导的应用）
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
热阻（RθJC）：典型值约0.8℃/W
16N50L-TC具备出色的电气性能和热稳定性，能够承受高电压和大电流负载，适用于严苛的工作环境。其500V的漏源击穿电压使其可以在高压应用中安全运行，例如离线式开关电源（Off-line SMPS），即使在市电波动较大的地区也能保证系统的可靠性和寿命。该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，并减少了散热需求，有助于缩小整机体积和降低成本。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的能量更少，有利于提高开关频率，从而减小外围滤波元件的尺寸，进一步优化系统设计。该MOSFET还具备良好的开关特性，包括较快的上升和下降时间，减少开关过程中的交越损耗，特别适合用于高频PWM控制应用。
在可靠性方面，16N50L-TC具有宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），可在极端高低温环境下正常工作，适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。其TO-220封装不仅机械强度高，而且便于安装散热片，有效提升热传导能力，延长器件使用寿命。此外，该器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和抗过压冲击能力，在突发负载变化或短路情况下仍能保持一定耐受性。这些特性使得16N50L-TC成为许多中高端电源产品中的首选功率开关器件。
16N50L-TC广泛应用于各类需要高效、高压、大电流开关控制的电子系统中。典型应用包括：开关模式电源（SMPS），特别是反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的AC-DC转换器；DC-DC升压或降压变换器中的主开关管；UPS不间断电源和逆变器中的功率级驱动；LED恒流驱动电源，尤其是大功率户外照明系统；电机驱动电路，如小型直流电机或步进电机的H桥控制；家用电器中的电源模块，如空调、洗衣机、微波炉等设备的内部控制电源；工业自动化控制系统中的继电器替代或固态开关；此外还可用于电池充电器、电动工具电源板、太阳能逆变器前端开关等场景。得益于其高电压耐受能力和良好的热性能，该器件尤其适合长期连续运行的工业设备。
20N50L, 18N50F, FQP16N50, STP16NF50, IRFP450, IRFGB50}
