时间：2025/7/23 5:45:48
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16N25 是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关和电源管理应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。16N25采用TO-220封装，具备良好的散热性能，是工业控制、电源转换和电机驱动等领域常用的功率器件。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：250V
最大漏极电流(Id)：16A
最大导通电阻(Rds(on))：0.18Ω @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
16N25 功率MOSFET具备多项优良特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其漏源电压高达250V，能够承受较高的电压应力，适用于中高电压的电源和电机控制应用。其次，最大漏极电流为16A，提供了足够的电流承载能力，适用于大功率负载的开关控制。
导通电阻是衡量MOSFET效率的重要参数，16N25 在Vgs=10V时，Rds(on)典型值为0.18Ω，较低的导通电阻意味着更小的功率损耗和更低的温升，提高了系统的整体效率。此外，该器件的栅极电压范围为±20V，允许在较高的栅极电压下稳定工作，确保MOSFET的可靠导通与关断。
16N25采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在较高环境温度下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛的工作环境。该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。
由于其优良的电气特性和热性能，16N25广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电源以及工业自动化设备中的功率开关电路。
16N25 主要应用于需要高电压和大电流控制的功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可用于主开关管，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，16N25可作为高频开关，提升系统效率并减少热量产生。此外，该器件也常用于电机驱动电路，作为功率开关控制电机的启停和转速。
在LED照明系统中，16N25可用于恒流驱动电路，提供稳定的电流输出，确保LED的亮度一致性和长寿命。在工业控制领域，该MOSFET可用于继电器替代电路、电焊机、UPS不间断电源以及电池充电器等设备中，实现高可靠性和高效率的功率控制。
由于其良好的热稳定性和过载能力，16N25也适用于需要频繁开关操作的应用，如电磁炉、变频器和电机控制模块。同时，其坚固的封装结构使其能够在工业环境中长期稳定运行。
IRFZ44N, FDPF16N25, STP16N25, FQA16N25
