时间：2025/10/11 3:38:47
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16FKZ-RSM1-GAN-1-ETB是一款由Vishay Semiconductors生产的光耦继电器（固态继电器），采用GaN（氮化镓）技术设计，适用于高效率、高可靠性开关应用。该器件集成了一个常开（NO）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为输出开关元件，通过内部红外发光二极管（LED）驱动光电探测器来实现输入与输出之间的电气隔离。其封装形式为紧凑型表面贴装DIP-16，适合在空间受限的应用中使用。该光耦继电器具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性，特别适用于工业自动化、测试测量设备和通信系统等对性能要求较高的领域。得益于GaN技术的引入，该器件在高频开关条件下仍能保持较低的功耗和较高的效率，同时具备良好的抗噪声能力和长期可靠性。此外，16FKZ-RSM1-GAN-1-ETB符合RoHS环保标准，并通过了UL、CSA和VDE等国际安全认证，确保在多种全球市场中的合规性和安全性。
制造商：Vishay Semiconductors
产品系列：OptoMOS
类型：常开（NO）光耦继电器
输入类型：DC
输入电压（最大）：1.5V
输入电流（最大）：50mA
输出类型：单刀单掷（SPST）
负载电压（最大）：60V
负载电流（最大）：2A
导通电阻（典型值）：35mΩ
隔离电压：5000VRMS
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装/外壳：DIP-16 表面贴装
安装类型：表面贴装（SMD）
认证：UL, CSA, VDE, RoHS
16FKZ-RSM1-GAN-1-ETB采用先进的GaN基光电MOSFET技术，显著提升了传统光耦继电器的性能边界。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值仅为35mΩ），这使得在大电流负载下功率损耗大幅降低，从而减少发热并提高系统整体能效。相比传统的硅基MOSFET输出光耦，该器件在相同尺寸下可承载更高的电流密度，并具备更优的热管理能力。由于使用了氮化镓材料，电子迁移率更高，开关速度更快，能够实现纳秒级的响应时间，适用于需要高速切换的应用场景，如自动测试设备（ATE）中的信号路由或高频电源控制。
该器件具有优异的电气隔离性能，支持高达5000VRMS的隔离电压，确保输入控制电路与高压负载端之间实现可靠的安全隔离，广泛应用于医疗设备、工业PLC和高精度仪器中。其输入侧采用标准逻辑兼容的红外LED，可通过微控制器直接驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。输出端集成有保护电路，防止过压、反向电流和静电放电（ESD）造成的损坏，增强了现场使用的鲁棒性。
16FKZ-RSM1-GAN-1-ETB的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，适应严苛环境下的长期稳定运行。封装结构经过优化，具备良好的散热路径，即使在高负载条件下也能维持较低的结温。此外，该器件无机械触点，避免了传统电磁继电器常见的磨损、弹跳和寿命限制问题，实现了数亿次以上的开关寿命，极大提升了系统的可靠性和维护周期。
16FKZ-RSM1-GAN-1-ETB广泛应用于对可靠性、效率和尺寸有严格要求的电子系统中。在工业自动化领域，它被用于可编程逻辑控制器（PLC）、I/O模块和电机控制单元中，作为信号隔离与执行机构驱动的关键组件。在测试与测量设备中，例如自动测试设备（ATE）和数据采集系统，其高速开关特性和低导通电阻使其成为精密信号切换的理想选择，能够有效减少信号失真和延迟。
在通信基础设施中，该器件可用于基站电源管理、光模块控制以及服务器电源分配单元（PDU），提供高效且静音的开关功能。由于其无磁干扰特性，也适用于高灵敏度模拟电路和医疗电子设备，如病人监护仪、诊断成像系统等，在这些场合中必须避免电磁干扰对信号完整性的影响。
此外，16FKZ-RSM1-GAN-1-ETB还可用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器和电动汽车充电控制系统中，实现安全的高压回路通断控制。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适用于大批量制造场景，同时满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。凭借其高性能和长寿命，该器件正在逐步替代传统电磁继电器和普通光耦，在高端电子系统中发挥越来越重要的作用。
TLP3545
