型号：16CTQ100STR
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：16A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A
　　正向电压（VF）：1.45V（典型值，@ 16A, TJ=25°C）
　　反向漏电流（IR）：0.2mA（典型值，@ 100V, TJ=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-277
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　热阻（RθJC）：1.2°C/W（典型值）
　　是否符合RoHS：是

16CTQ100STR所采用的碳化硅（SiC）材料赋予其卓越的电气与热性能，使其在众多功率二极管中脱颖而出。首先，该器件具备极低的正向导通压降（VF），典型值仅为1.45V，在16A的工作电流下仍能保持较低的导通损耗，有效提升电源系统的转换效率。相比传统硅快恢复二极管，这种低VF特性在连续高负载运行时可大幅减少发热，进而降低对散热系统的要求。更重要的是，作为肖特基结构的碳化硅二极管，它不存在PN结的少数载流子储存效应，因此在反向恢复过程中几乎没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和反向恢复电流尖峰，这一特性极大地抑制了开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI），使得整个电源系统更加稳定可靠，并允许使用更高频率的PWM控制策略以进一步缩小磁性元件和电容的体积。
　　其次，16CTQ100STR拥有出色的高温工作能力，其最大结温可达+175°C，远高于普通硅器件的150°C上限。这意味着即使在高温环境或长时间满负荷运行条件下，器件依然能够维持稳定的性能输出，不会因热失控而导致失效。同时，其较低的热阻（RθJC = 1.2°C/W）确保了热量可以从芯片快速传导至PCB或散热器，提高了热管理效率。此外，该器件支持高达180A的非重复浪涌电流能力，表现出优异的瞬态过载承受力，适用于可能出现短时大电流冲击的应用场景，如电机驱动启动或雷击浪涌防护。
　　再者，TO-277封装不仅实现了小型化设计，还具备三引脚配置，增强了电流承载能力和焊接可靠性。表面贴装（SMD）形式便于自动化贴片生产，提升了制造效率与一致性。该器件符合RoHS标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环保法规的要求。综合来看，16CTQ100STR凭借其材料优势、结构优化和工艺成熟度，在效率、可靠性与可持续性之间实现了良好平衡，是高端电源系统中不可或缺的关键组件。

16CTQ100STR广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS），尤其是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中作为输出整流二极管，利用其低导通损耗和无反向恢复特性来提高能效并减少EMI；太阳能光伏逆变器中的直流侧续流或防反接保护，得益于其高温耐受性和长期稳定性，可在户外严苛环境中可靠运行；电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）车载充电机（OBC）及DC-DC转换器中，用于提升能量转换效率并支持高频化设计；不间断电源（UPS）系统中作为关键整流元件，保障电源切换过程中的平稳性和响应速度；此外，该器件也可用于电机驱动器、感应加热设备和LED驱动电源等对效率和热管理有较高要求的场合。由于其优异的动态响应能力和热稳定性，16CTQ100STR特别适合用于追求小型化、轻量化和高功率密度的现代电力电子设备中，助力实现绿色节能目标。

FCH160A100N,FCS160A100N