16CTQ100G-1 时间：2025/12/26 21:09:55 阅读：11

16CTQ100G-1是一款高性能的碳化硅（SiC）肖特基二极管，由ONSEMI（安森美）公司生产。该器件专为高效率、高频率和高温应用而设计，广泛应用于电源转换系统中，如开关模式电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电系统等。作为一款基于第三代半导体材料的功率器件，16CTQ100G-1利用碳化硅材料优异的物理特性，实现了比传统硅基二极管更低的正向导通压降、更高的热导率以及更强的耐高温能力。其封装形式采用TO-247，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在大电流和高功率密度环境下工作。
　　该器件的最大重复反向电压为1200V，能够承受瞬态过压冲击，适用于高压直流链路中的续流或整流功能。同时，由于其无反向恢复电荷（Qrr接近于零）的特性，显著降低了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），从而提升了整个系统的能效和可靠性。此外，16CTQ100G-1具备快速开关能力，在高频操作下仍能保持稳定性能，是现代高效能源系统中不可或缺的关键元件之一。

参数

型号：16CTQ100G-1
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大反向重复电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：16A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180A
　　正向电压（VF）：1.55V @ 16A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：250μA @ 1200V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247
　　热阻（RθJC）：1.2°C/W
　　是否为无卤素产品：是

特性

16CTQ100G-1的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料制造而成，这种宽禁带材料相比传统的硅材料拥有更高的临界击穿电场强度、更高的热导率以及更优的电子迁移率。这使得该二极管能够在高达1200V的高压条件下稳定运行，同时保持较低的正向导通损耗。其典型正向电压仅为1.55V，在16A的工作电流下显著低于同等级别的硅PIN二极管，从而有效减少导通期间的能量损耗，提升系统整体效率。
　　另一个关键特性是其几乎为零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在从导通状态切换到截止状态时不会产生明显的反向恢复电流尖峰。这一特点极大减少了开关过程中因电荷抽取而导致的动态损耗，并抑制了由此引发的电压振铃和电磁干扰问题，特别适用于高频PWM控制的应用场景，例如PFC电路和DC-DC变换器。此外，该器件可在结温高达+175°C的情况下持续工作，展现出卓越的热稳定性与长期可靠性，有助于简化散热设计并提高功率密度。
　　16CTQ100G-1还具备出色的抗浪涌能力，可承受高达180A的非重复峰值电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其TO-247封装不仅提供了优良的电气隔离性能，还支持便捷的安装与散热管理，兼容现有的功率模块装配工艺。综合来看，这款器件通过材料创新与结构优化，实现了高性能、高可靠性和高集成度的统一，是面向下一代绿色能源与电力电子系统的理想选择。

应用

16CTQ100G-1广泛用于各类高效率电力电子系统中，特别是在需要高压、高频和高温稳定性的场合。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）中的输出整流或中间直流链路续流二极管，尤其是在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中表现优异，能够显著降低系统损耗并提升功率密度。在可再生能源领域，该器件常被用于光伏（太阳能）逆变器中的升压级整流环节，利用其低Qrr特性减少开关损耗，提高整体转换效率。
　　在电动汽车相关系统中，16CTQ100G-1可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的电源模块中，满足对高效率和紧凑设计的需求。同时，它也适用于不间断电源（UPS）和服务器电源等高端工业电源设备，帮助实现更高的能源利用率和更长的使用寿命。此外，在电机驱动器和感应加热装置中，该二极管可用作续流路径，确保功率开关器件的安全换流。得益于其宽泛的工作温度范围和优异的热性能，16CTQ100G-1也能在恶劣环境条件下稳定运行，适用于户外或高温工业现场的应用场景。