型号：16CTQ080STRLPBF
　　制造商：ON Semiconductor
　　二极管类型：肖特基势垒二极管，双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：80V
　　最大直流反向电压（VR）：80V
　　平均整流电流（IO）：16A（每芯片）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms单半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值0.57V，最大值0.64V（在16A, TJ=125°C）
　　反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在80V, TJ=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerTSSM-8
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：8
　　热阻（RθJC）：约1.0°C/W
　　符合标准：RoHS、无卤素、符合JEDEC MS-012标准

16CTQ080STRLPBF的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，显著降低了功率损耗，从而提升了整体电源转换效率。在16A大电流工作条件下，其典型正向压降仅为0.57V，远低于传统PN结二极管，这使得器件在高负载工况下仍能保持较低的温升，减少散热设计复杂度。该器件采用双共阴极结构，即两个阳极共享一个阴极，非常适合用于同步整流拓扑或双路输出整流电路中，简化PCB布局并提升系统集成度。
　　该器件的快速开关特性是其另一关键优势。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具有极短的反向恢复时间（几乎为零），有效抑制了开关过程中的反向恢复电荷（Qrr）和相关的电磁干扰（EMI），特别适用于高频开关电源（如MHz级DC-DC变换器）。这种特性不仅提高了系统效率，还减少了对额外滤波元件的需求，有助于缩小整体电源体积。
　　16CTQ080STRLPBF采用PowerTSSM-8封装，该封装具有极低的内部热阻（RθJC ≈ 1.0°C/W），能够高效地将热量从芯片传导至PCB，配合大面积铜箔设计可实现良好的自然散热效果，无需额外散热片即可满足大多数高功率应用需求。此外，该封装尺寸紧凑，节省PCB空间，同时支持自动化贴片生产，提高了制造效率和一致性。
　　该器件具备出色的热稳定性，可在高达150°C的结温下持续工作，适用于高温环境下的工业和通信设备。其反向漏电流在高温下仍保持较低水平（<1mA @80V, 125°C），避免了因漏电增加导致的热失控风险。同时，高达150A的峰值浪涌电流能力使其能够承受瞬态过载或启动冲击，增强了系统的鲁棒性。所有这些特性共同使16CTQ080STRLPBF成为高性能电源系统中理想的整流解决方案。

16CTQ080STRLPBF广泛应用于需要高效、高密度电源设计的各类电子系统中。在通信基础设施领域，它被用于基站电源、路由器和交换机的DC-DC转换模块中，作为输出整流二极管，提供低损耗、高可靠性的电力传输。在数据中心和服务器电源系统中，该器件用于POL（Point-of-Load）转换器，支持多相供电架构，满足处理器和FPGA等高性能芯片的供电需求。
　　在消费类电子产品方面，16CTQ080STRLPBF常见于笔记本电脑适配器、游戏主机电源和高端显示器电源板中，用于次级侧同步整流或主整流环节，提升能效并降低发热。其小尺寸封装也使其适用于空间受限的便携式设备电源模块。
　　在工业自动化和控制设备中，该器件用于PLC电源、电机驱动器和UPS不间断电源系统，提供稳定的直流输出。其高浪涌能力和宽温度范围适应了工业现场的恶劣环境条件。
　　此外，该器件还可用于太阳能逆变器、LED驱动电源和汽车电子辅助电源系统（如车载信息娱乐系统电源）中，作为高效整流元件。由于其无铅环保设计，符合全球环保法规，适用于出口型电子产品和绿色能源项目。总之，凡是需要高电流、低损耗、快恢复特性的电源整流场合，16CTQ080STRLPBF都是一个极具竞争力的选择。

SBRT16U40SP5F
　　SQJ482EP-T1_GE3
　　STPS20M100S
　　MBRB1645AG