16CTQ080 时间：2025/10/28 9:19:57 阅读：52

16CTQ080是一款高性能的碳化硅（SiC）肖特基二极管，由ON Semiconductor（安森美）公司生产。该器件专为高效率、高频率和高温应用而设计，广泛应用于开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及太阳能逆变器等电力电子系统中。作为一款碳化硅基二极管，16CTQ080相比传统的硅基PIN二极管具有更低的正向导通压降（VF）、极小的反向恢复电荷（Qrr）以及几乎无反向恢复电流的特性，从而显著降低了开关损耗并提升了系统整体能效。其额定平均整流电流为16A，最大重复峰值反向电压为80V，适用于中等电压等级但对效率要求较高的直流-直流转换和交流-直流转换场合。封装形式采用TO-247-2L，具备良好的热传导性能和机械稳定性，适合在紧凑型高功率密度设计中使用。此外，该器件无需外部散热片即可在适当条件下运行，简化了热管理设计。由于采用了宽禁带半导体材料，16CTQ080可在高达175°C的结温下稳定工作，展现出优异的热可靠性与长期耐久性。

参数

型号：16CTQ080
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：80V
　　平均整流电流（IF(AV)）：16A
　　正向压降（VF）：典型值1.65V @ 16A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：最大300μA @ 80V, 25°C；高温下可达5mA @ 80V, 150°C
　　反向恢复时间（trr）：近似为零（无少子存储效应）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247-2L
　　热阻结到壳（RθJC）：约1.2°C/W

特性

16CTQ080的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越电学表现。传统硅二极管在关断过程中会因少数载流子的存储效应产生明显的反向恢复电流，导致显著的开关损耗，尤其在高频操作时更为严重。而16CTQ080作为碳化硅肖特基二极管，不存在PN结和少子注入机制，因此从根本上消除了反向恢复现象，即其反向恢复电荷Qrr几乎为零。这一特性极大地减少了开关过程中的能量损耗，提高了电源系统的转换效率，并有效抑制了电磁干扰（EMI），使得滤波电路的设计更加简单高效。
　　另一个关键特性是其较低的正向导通压降与高温稳定性之间的良好平衡。虽然碳化硅材料本身具有较高的势垒高度，可能导致VF偏高，但通过优化金属-半导体接触结构和掺杂工艺，16CTQ080实现了在16A大电流下的典型VF仅为1.65V左右，优于许多同类产品。更重要的是，在高温环境下，其正向压降的变化较小，且不会出现热失控风险，因为碳化硅材料具有优异的热导率和更高的临界击穿电场强度。这使得器件即使在恶劣工况下也能保持稳定的电气性能。
　　此外，16CTQ080具备出色的动态抗浪涌能力，能够承受短时间内超过额定值的电流冲击，增强了系统在异常情况下的鲁棒性。其TO-247封装不仅提供了良好的电气隔离和机械强度，还便于安装在标准散热器上以实现高效的热量散发。总体而言，这些特性使16CTQ080成为追求高效率、高可靠性和小型化的现代电力电子设计的理想选择。

应用

16CTQ080广泛应用于各类需要高效能功率转换的电力电子设备中。在通信电源和服务器电源系统中，它常用于有源钳位正激变换器或LLC谐振变换器的次级侧整流环节，利用其零反向恢复特性降低同步整流MOSFET的开通损耗，提升整体电源效率至95%以上。在工业级开关电源（SMPS）中，特别是在大功率DC-DC转换模块中，该器件可用于输出整流级，帮助实现更高的功率密度和更低的温升。
　　在可再生能源领域，16CTQ080被广泛用于光伏（PV）逆变器的直流输入端旁路或防反接保护电路中。由于光伏阵列输出电压波动较大且环境温度变化剧烈，碳化硅二极管的宽温域稳定性和低漏电流特性显得尤为重要。同时，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩的辅助电源部分，该器件也发挥着关键作用，支持系统在高频率下运行的同时维持高效率。
　　此外，16CTQ080还可用于不间断电源（UPS）、电机驱动器中的续流路径以及感应加热电源等高端工业应用。由于其具备快速响应能力和高可靠性，特别适合用于那些对系统寿命和维护成本敏感的应用场景。随着全球对能源效率法规日益严格，16CTQ080这类碳化硅器件正在逐步替代传统硅基快恢复二极管，推动绿色节能技术的发展。