类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：中心抽头双二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IF(AV)）：16A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A
　　最大正向电压降（VF @ IF=16A）：约0.57V（典型值）
　　最大反向漏电流（IR @ 25°C）：≤ 1.0mA
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：D2PAK (TO-263)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　无铅/符合RoHS：是

16CTQ060STRRPBF的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术通过金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降。在大电流应用中，低VF意味着更少的功率损耗和更低的发热量，这对于高密度电源设计至关重要。例如，在16A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.57V左右，远低于传统快恢复二极管的1V以上水平，这使得整体系统效率得以提升2%~5%，尤其是在低压输出（如3.3V或5V）的DC-DC转换器中效果尤为明显。
　　该器件内部集成了两个30V/16A的肖特基二极管并以中心抽头形式连接，非常适合用于全波整流电路或同步整流拓扑中的副边整流环节。这种结构简化了PCB布局，减少了元件数量，提高了系统的可靠性和功率密度。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计，极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），有利于实现高频化电源设计。
　　16CTQ060STRRPBF采用D2PAK封装，底部带有大面积裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔有效传导热量，实现良好的热管理。即使在高负载条件下，也能保持较低的结温上升，延长器件寿命。同时，该封装支持自动化贴片工艺，适合大规模生产。器件符合RoHS标准且不含铅，满足全球环保法规要求，适用于消费类、工业类及通信类电子产品。
　　在可靠性方面，16CTQ060STRRPBF经过严格的质量控制和老化测试，具备优异的抗热冲击能力和长期稳定性。其宽工作温度范围（-65°C至+150°C）使其能够在极端环境下稳定运行，适用于车载、工业控制和户外通信设备等严苛应用场景。

16CTQ060STRRPBF主要应用于需要高效能、低损耗整流功能的电源系统中。典型应用包括但不限于：大功率DC-DC降压转换器中的次级侧整流，特别是在多相VRM（电压调节模块）中为CPU或GPU供电；笔记本电脑、台式机和服务器的AC-DC适配器或板载电源模块；电信基站电源、网络交换机和路由器的内部DC-DC变换器；工业电源系统和嵌入式控制系统中的低压大电流整流环节。
　　由于其低正向压降和高电流承载能力，该器件也常被用于电池充电管理系统、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等能源相关设备中，作为防止反向电流流动的保护元件或整流组件。此外，在一些需要紧凑设计和高功率密度的应用中，如便携式医疗设备或高端显示电源，16CTQ060STRRPBF凭借其优良的热性能和小型化封装，成为理想选择。
　　在同步整流架构中，尽管越来越多的设计采用MOSFET替代肖特基二极管以进一步降低损耗，但在成本敏感或控制复杂度受限的应用中，16CTQ060STRRPBF仍因其无需驱动电路、使用简单、可靠性高等优点而被广泛采用。尤其在中低端产品或辅助电源轨道中，它提供了一种经济高效的整流解决方案。

MBR1645CT