1654/BEA 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)设计和生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。MOSFET是一种常用于功率开关应用的半导体器件,具有高效率、快速开关速度和低导通电阻的特点。1654/BEA 主要用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种需要高功率处理能力的电子系统中。该器件采用TO-220封装形式,适用于需要高可靠性和稳定性的工业及消费类电子产品。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):50A
漏极-源极电压(VDS):60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.018Ω(最大)
功率耗散(PD):125W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220
1654/BEA MOSFET具备多项优异特性,适用于高功率应用场景。其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流条件下的低功耗和高效率,减少了散热需求。该器件的高漏极电流能力(50A)使其适用于大功率负载的控制,如电机驱动和电源转换。此外,其60V的漏极-源极电压额定值提供了良好的过压保护能力,适用于各种电源系统。
1654/BEA采用TO-220封装,具有良好的热管理和机械稳定性,适合在工业环境中使用。该封装形式便于安装在散热片上,以提高热传导效率,确保器件在高负载条件下稳定运行。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围宽,支持逻辑电平驱动,适用于与微控制器或其他数字控制电路直接连接。
这款MOSFET还具备快速开关特性,减少了开关损耗,提高了整体系统效率。这对于高频开关应用(如DC-DC转换器和开关电源)尤为重要。其高可靠性和稳定性也使其适用于汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中的关键电路设计。
1654/BEA MOSFET广泛应用于多种电子系统,包括电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备。它常用于构建高效率的开关电源、逆变器和功率放大器。此外,该器件也适用于汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、电动车窗控制和车载充电系统。由于其高可靠性和稳定性,1654/BEA也常用于消费类电子产品中的电源管理和负载控制电路。
STP55NF06, IRFZ44N, FDP6676, Si4410BDY