型号：160MT140K
　　制造商：Vishay Siliconix
　　封装类型：TO-247
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压 Vds：140V
　　漏极电流 Id 连续：160A @ 25°C
　　漏极电流 Id 脉冲：640A
　　导通电阻 Rds(on) 最大值：3.8mΩ @ Vgs = 10V, Id = 80A
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2.0V ~ 4.0V
　　栅源电压 Vgs 最大值：±20V
　　功耗 Pd：500W
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　输入电容 Ciss：12000pF @ Vds = 25V
　　开启延迟时间 td(on)：30ns
　　关断延迟时间 td(off)：60ns

160MT140K 的核心特性之一是其极低的导通电阻 Rds(on)，典型值仅为几毫欧级别，这显著降低了在大电流工作状态下的导通损耗，提升了系统的能效表现。该特性对于高频率开关电源和大功率 DC-DC 转换器尤为重要，能够有效减少发热，降低对散热系统的要求。
　　其次，该器件具备出色的电流处理能力，连续漏极电流可达 160A，在脉冲模式下更可承受高达 640A 的峰值电流，使其适用于高动态负载场合，如电机启动、电焊机或电动汽车的驱动电路。
　　第三，160MT140K 采用了先进的沟道技术与封装工艺，确保了器件在高温环境下仍能稳定工作。其最高工作结温可达 +175°C，支持在恶劣热环境中长期运行，增强了系统的可靠性。
　　第四，该 MOSFET 具有较高的输入电容和栅极电荷，虽然在高频应用中可能需要更强的驱动能力，但同时也提供了较好的噪声抑制能力和开关稳定性。
　　第五，器件具备单脉冲雪崩能量额定值，表明其在遭遇电压突波或感性负载关断时具有一定的自我保护能力，减少了因瞬态过压导致的损坏风险。
　　最后，TO-247 封装不仅提供了良好的热传导路径，还便于安装散热器，进一步提升散热效率。综合来看，160MT140K 在功率密度、效率和可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于多种高功率场景的高性能 MOSFET 器件。

160MT140K 广泛应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电力电子系统中。首先，在工业电源领域，它常用于大功率开关电源（SMPS）的主开关元件，特别是在服务器电源、电信电源和工业级 AC-DC 转换器中，其低导通电阻和高电流能力有助于提升转换效率并降低温升。
　　其次，在电机驱动应用中，该器件可用于直流电机控制器、伺服驱动器和变频器中作为功率开关，实现高效的能量转换和精确的转速控制。
　　第三，在新能源领域，160MT140K 可用于太阳能逆变器的 DC-AC 转换级，将光伏阵列产生的直流电高效地转换为交流电并入电网，其高耐压和高效率特性在此类应用中尤为关键。
　　第四，该器件也常见于电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC 升压/降压模块以及电动工具的电池管理系统中，承担大电流开关任务。
　　此外，在电焊机、UPS（不间断电源）和高功率 LED 驱动电源中，160MT140K 凭借其优异的热性能和电气特性，能够保证长时间稳定运行。
　　最后，在测试设备和高功率实验室电源中，该 MOSFET 也被用作可编程负载或功率调节单元的核心元件。其宽泛的工作温度范围和坚固的封装结构使其适用于各种严苛环境下的电力控制任务。

IRFP4468PbF
　　IPB041N15N5
　　IXFH160N15T