中心频率：16.670000MHz
　　频率公差：±10ppm 至 ±50ppm（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　负载电容（对于无源晶体）：18pF、20pF（典型值）
　　等效串联电阻（ESR）：≤60Ω（依封装和制造商而定）
　　激励电平：100μW max
　　老化率：±3ppm/年（典型值）
　　输出波形（有源晶振）：CMOS/TTL 兼容
　　电源电压（有源晶振）：3.3V 或 5V DC
　　相位噪声：-120dBc/Hz @ 1kHz offset（典型值）

16.670000MHz 晶体元件具备出色的频率稳定性和长期可靠性，能够在宽温度范围内维持精确的振荡频率，适合在复杂电磁环境和恶劣工作条件下稳定运行。其频率选择特别适用于需要与电网工频（50Hz）保持同步的应用场合，例如电力仪表、继电保护装置和电能质量分析仪等设备中，能够有效避免因频率偏差导致的数据采样误差或控制延迟。该频率的晶体通常采用石英材料制造，利用压电效应实现机械振动与电信号之间的转换，从而产生稳定的周期性信号。对于无源晶体，需配合振荡电路中的反相放大器和外部负载电容共同工作；而对于有源晶振，则内部集成了振荡电路，可直接输出方波信号，抗干扰能力强，启动速度快，且输出电平兼容主流逻辑电路标准。此外，此类器件具有低相位噪声和低抖动特性，有助于提升系统的时间精度和通信质量。现代封装技术如SMD小型化封装（如3225、5032）使得该类元件易于自动化贴装，并节省PCB空间，广泛应用于高密度集成的电子产品中。
　　为了确保最佳性能，建议在PCB布局时尽量缩短晶体与主控芯片之间的走线长度，并采取良好的接地和屏蔽措施以减少寄生电感和电磁干扰。同时，应避免将晶体放置在热源附近，以防温度梯度影响频率稳定性。在选型过程中，还需注意匹配MCU或SoC对晶体参数的要求，包括负载电容、驱动能力及振荡模式（基频或三次泛音）。部分高端应用还可能要求具备AEC-Q200认证或符合IEC 60870、IEC 62056等电力行业通信协议的时间基准规范。

该频率主要用于工业自动化控制系统、智能电表、电力监控终端、UPS不间断电源、变频器、PLC可编程逻辑控制器以及各类需要与市电同步采样的测量仪器。在这些系统中，16.670000MHz 提供精准的时钟源，支持ADC模数转换器的同步采样、实时时钟（RTC）校准、通信协议定时以及事件记录的时间戳生成等功能。此外，它也被用于某些嵌入式处理器平台（如ARM Cortex-M系列）作为外部时钟输入，替代内部RC振荡器以提高系统整体精度。在通信领域，该频率可用于构建串行通信接口（如RS-485、Modbus）的波特率发生器，确保数据传输的稳定性和准确性。由于其频率接近1/60秒的时间单位，也可用于生成精确的时间间隔触发信号，适用于定时任务调度或多通道轮询机制。在测试与测量设备中，16.670000MHz 晶体作为参考时钟可用于校准其他信号源或作为锁相环（PLL）的输入基准，进一步生成更高或更低的所需频率。随着智能电网和物联网的发展，这类高精度时钟元件在远程抄表、故障录波和分布式能源管理系统中发挥着越来越重要的作用。

ECS-167-18-30XBM-UT
　　FOX167B-033-18E
　　Abracon ABM8G-16.670000MHZ-D2Y-T3
　　Siward SWL167-33-18S5C