型号：15P12
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：150V
　　最大漏极电流（ID）：12A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值约0.35Ω @ VGS = -10V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　栅极阈值电压（Vth）：-2.0V 至 -4.0V
　　最大功耗（PD）：约125W（依赖于封装与散热条件）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：约450pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：约150pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管快速恢复要求）

15P12作为一款P沟道功率MOSFET，其核心优势在于简化了高端驱动电路的设计复杂度。在许多开关电源拓扑结构中，如Buck转换器的高端开关，传统N沟道MOSFET需要复杂的自举电路或隔离电源来提供足够的栅极驱动电压。而15P12由于是P沟道器件，当源极连接到输入高压时，只需将栅极拉低即可实现导通，无需额外的电压抬升机制，从而显著降低了系统成本与设计难度。这一特性使其在低成本、中小功率电源模块中极具吸引力。
　　该器件采用了成熟的平面工艺制造，确保了良好的制造一致性与可靠性。其150V的漏源击穿电压能够满足多数离线式电源系统的安全裕量要求，尤其适用于输入电压为100–130V AC的应用环境。同时，12A的额定电流允许其承载较大的负载电流，适用于中等功率级别的DC-DC变换器或电池管理系统中的开关控制。
　　在导通损耗方面，15P12的RDS(on)典型值约为0.35Ω，虽然相比同等级N沟道MOSFET略高，但在P沟道器件中属于较为优秀的水平。这一阻值在实际应用中仍可接受，特别是在非极高频率或非极致效率要求的场景下表现良好。此外，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于提升整体能效，并减少控制器的负担。
　　热稳定性方面，15P12能够在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适应工业级应用的严苛环境。配合合适的散热器，其125W左右的最大功耗能力可以有效支持持续大电流运行。值得一提的是，该器件具备一定的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压事件中保护自身及周边电路，增强系统鲁棒性。综合来看，15P12是一款兼顾性能、可靠性和易用性的P沟道功率MOSFET，特别适合对成本敏感且需要简化驱动设计的中功率应用场景。

15P12主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其是在Buck（降压）转换器的高端开关位置，利用其P沟道特性避免复杂的自举驱动电路，广泛用于车载电源、工业控制电源模块、LED驱动电源以及小型逆变器等设备。在这些应用中，15P12负责将输入的直流高压切换为脉冲信号，供后续电感和电容进行能量转换与滤波，实现稳定的输出电压调节。
　　此外，该器件也常见于电池供电系统中的电源切换与反接保护电路。例如，在便携式设备或多电池组系统中，15P12可用于实现高端负载开关，防止电池反向接入损坏后级电路。由于其导通速度快、控制方便，还可用于电机驱动电路中的H桥结构高端侧开关，配合逻辑控制实现正反转与制动功能。
　　在通信设备、家用电器和消费类电子产品中，15P12也被用于DC-DC模块的主开关元件，特别是在输入电压不超过100V的低压直流系统中，如12V、24V或48V总线系统，能够高效完成电压转换任务。同时，因其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，也可部署于户外设备或工业现场环境中，承担关键的功率控制角色。总之，15P12凭借其易驱动、高耐压和稳定可靠的特性，在多种电力电子系统中发挥着重要作用。

FQP15P12
　　STP15P12
　　SI7455DP-T1-E3