型号：15NM70
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：70V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：100A
　　脉冲漏极电流（Idm）：400A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：15mΩ 最大值
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：20mΩ 最大值
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约 8000pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约 900pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 40ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK (TO-263)

15NM70的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时最大仅为15mΩ，这意味着在大电流应用中可以显著降低导通损耗，提升系统效率。这种低Rds(on)特性得益于STMicroelectronics先进的制程技术，通过优化沟道设计和材料使用，实现了载流子迁移率的最大化，从而减小了导通状态下的功率耗散。此外，该器件在Vgs=4.5V时仍能保持较低的Rds(on)（20mΩ），表明其具备良好的低压驱动能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如微控制器或PWM控制器输出端直接控制。
　　该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达100A（在25°C条件下），并能承受高达400A的脉冲电流，使其适用于需要瞬时大电流输出的场合，例如电机启动、电容充电或开关电源的浪涌电流处理。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在极端环境温度下的稳定运行，特别适合工业级和汽车级应用。
　　15NM70还具备良好的热稳定性与雪崩耐量能力，能够在过压或感性负载关断时提供一定的能量吸收能力，增强了系统的鲁棒性。其较大的输入电容（Ciss）虽然可能增加驱动电路的负担，但有助于抑制高频噪声和电压尖峰。器件的阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），避免了误触发的同时保证了可靠的开启。此外，TO-220和D2PAK封装提供了优异的散热性能，便于安装散热器以进一步提升功率处理能力。这些综合特性使得15NM70成为高性能功率开关的理想选择。

15NM70广泛应用于各类需要高效、大电流开关控制的电力电子系统中。在DC-DC转换器中，它常用于同步整流拓扑结构，替代传统肖特基二极管，显著降低导通损耗，提高转换效率，尤其是在低压大电流输出的Buck转换器中表现突出。在电机驱动应用中，该器件可用于H桥电路中的上下桥臂开关元件，控制直流电机或步进电机的正反转与调速，其高电流能力和快速响应特性确保了电机运行的平稳性和动态性能。
　　在电源管理系统中，15NM70可作为负载开关或热插拔控制器中的主开关器件，实现对负载的软启动和过流保护功能，防止系统上电时产生过大冲击电流。此外，它也适用于电池供电设备中的电源切换与保护电路，例如便携式仪器、电动工具和UPS不间断电源系统。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、车灯控制模块、风扇驱动和电控单元（ECU）中的功率接口，其宽温工作范围和高可靠性满足汽车级应用的严苛要求。工业控制系统中的继电器替代、电磁阀驱动和PLC输出模块也是其典型应用场景。总之，凡是需要高效率、大电流、低损耗开关功能的场合，15NM70均能发挥出色性能。

STP100N7F7
　　IRF1404Z
　　IPB017N07LB