型号：15N70
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：700V
　　漏极电流（Id）@25℃：15A
　　连续漏极电流（Id）@TC=100℃：约9.5A
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：典型值0.38Ω，最大值0.45Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：约45ns
　　功耗（Pd）：125W @ TC=25℃
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-247

15N70具有优异的高压阻断能力，其700V的漏源击穿电压使其能够在宽输入电压范围内稳定工作，尤其适用于全球通用输入电压（85VAC~265VAC）的开关电源设计。该器件在高温环境下仍能保持可靠的电气性能，得益于其高达150℃的最大结温，结合良好的散热设计可有效延长系统寿命。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其是在中高负载条件下表现突出。同时，该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg），通常在40nC左右，这有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，从而降低开关过程中的动态损耗。器件的跨导（Transconductance）较高，保证了在较小栅极驱动电压下也能实现充分饱和导通，提升了控制灵敏度。
　　此外，15N70采用了坚固的平面工艺结构，增强了器件在高压应力下的鲁棒性，能够有效抵抗雪崩击穿和电压浪涌的影响。其内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了在高频开关应用中因反向恢复电荷引起的额外损耗和电磁干扰问题。该器件还具备良好的抗dv/dt能力，避免在快速电压变化下发生误触发现象。由于采用标准TO-220或TO-247封装，15N70便于安装在散热片上，有利于热量的有效传导与散发，进一步提升系统稳定性。在实际应用中，工程师可通过适当的栅极驱动电阻调节开关速度，在效率与EMI之间取得良好平衡。总体而言，15N70凭借其高耐压、低损耗、高可靠性和成熟的供应链支持，成为众多中等功率电力电子设备中的理想选择。

15N70广泛应用于各类需要高压、大电流开关功能的电力电子系统中。最常见的应用场景是离线式开关电源（SMPS），包括反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥式（Half-Bridge）拓扑结构，用于适配器、充电器、LED驱动电源等产品中。在这些应用中，15N70作为主开关管承担能量传递与电压变换的核心任务，其高耐压特性可适应宽范围交流输入，并在断开瞬间承受来自变压器漏感产生的高压尖峰。此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在高压输入工业电源系统中发挥关键作用。
　　在逆变器领域，15N70可用于小功率正弦波或方波逆变电路，将直流电转换为交流电，应用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源和便携式电源设备中。其快速开关能力和良好热性能有助于提高逆变效率并减小系统体积。在电机驱动方面，15N70可作为H桥电路中的开关元件，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，适用于家用电器、电动工具和自动化控制系统。此外，它还可用于电子镇流器、感应加热装置、高压脉冲发生器等特殊用途电路中。得益于其标准化封装和广泛供货渠道，15N70在研发原型设计和批量生产中均具有较高的兼容性与可替代性，适合多种不同复杂程度的功率电路设计需求。

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