类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：15A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值约0.35Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约380pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管快速恢复特性
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F/TO-220FP

15N65-MT作为一款高性能的高压N沟道MOSFET，在功率电子系统中表现出优异的电气性能和稳定性。其最大漏源电压达到650V，使其能够在高压环境下安全运行，特别适用于整流后电压较高的AC-DC电源设计中，例如通用输入范围（85VAC~265VAC）的反激式变换器。器件的连续漏极电流可达15A，结合合理的散热措施可在较宽负载范围内保持高效工作。其导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时典型值为0.35Ω，这一数值在同类650V器件中处于合理水平，有助于降低导通损耗，提高能效表现。
　　该器件具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），分别为约1100pF和380pF，这使得它在高频开关应用中具有较小的驱动功率需求和更快的开关响应速度，从而减少开关损耗，提升电源系统的整体效率。同时，15N65-MT的栅源电压容限为±30V，提供了较强的抗过压能力，避免因驱动电路异常导致的栅极击穿问题。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保在标准逻辑电平驱动下也能实现可靠开启，兼容多种控制IC的直接驱动输出。
　　在热管理方面，TO-220封装提供了良好的散热路径，允许器件在高温环境中长期运行。其最大工作结温可达+150°C，并支持瞬态过载工况下的短时超负荷运行。此外，该MOSFET内部集成了一个快速恢复型体二极管，虽然并非专门优化用于高速续流，但在某些拓扑如反激变换器中仍可提供必要的能量回馈通路。总体而言，15N65-MT凭借其高耐压、中大电流能力和稳健的封装设计，广泛应用于工业电源、照明驱动、家电控制板及小型逆变器等设备中。

15N65-MT主要应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于离线式反激变换器、AC-DC适配器、LED恒流驱动电源、电机控制模块以及小型UPS电源设备。其高耐压特性使其适用于宽电压输入环境下的电力转换场景，尤其是在85VAC至265VAC输入范围内的通用电源设计中表现出色。此外，该器件也常见于DC-DC升压或降压拓扑中，作为主开关管使用，配合PWM控制器实现精确的能量调节。在工业自动化领域，15N65-MT可用于PLC输出驱动、继电器控制或电磁阀驱动电路中，提供高效的功率切换功能。由于其封装形式便于安装散热片，因此在需要持续高功率输出的应用中也具备优势。同时，该器件还可用于太阳能充电控制器、电池管理系统（BMS）中的充放电开关单元，以及小型逆变器中的桥臂开关元件。在消费类电子产品中，如电视电源板、音响功放电源部分也有广泛应用。得益于其良好的温度适应性和长期运行稳定性，15N65-MT是许多中低端功率电子设计中的理想选择之一。

K15N65, FQPF15N65C, STP15NK65ZFP, IRFGB50