时间：2025/8/24 7:47:11
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15N65、16N65和20N65是常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）型号，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等电力电子应用中。它们的命名规则通常表示为：前缀（如15、16、20）代表最大连续漏极电流（Id）的大致值，N表示N沟道结构，65表示漏源极击穿电压为650V。这些MOSFET器件具有高效率、高可靠性和良好的热稳定性等特点。
类型：N沟道MOSFET
漏源极电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：15A（15N65）、16A（16N65）、20A（20N65）
栅源极电压（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：约83W（取决于封装）
导通电阻（Rds(on)）：通常在0.2Ω至0.3Ω之间
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、TO-262或TO-252等
15N65、16N65和20N65系列MOSFET具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压特性（650V）使其适用于高电压输入环境，如工业电源和新能源系统。此外，这些器件具有良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，增强了系统的可靠性和寿命。它们的封装设计通常具备良好的散热性能，便于安装和使用。栅极驱动简单，易于与常见的PWM控制器配合使用。
此外，这些MOSFET具有快速开关特性，适合高频开关应用，减少开关损耗。其内部结构优化，降低了寄生电容和电感，提高了开关速度和系统的稳定性。同时，具备一定的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过电压情况下提供一定的保护作用，增强了系统的鲁棒性。
这些MOSFET广泛应用于各类功率变换设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动控制器、LED照明电源、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制部分。此外，它们也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
IRF640N、FQP16N65C、FQA20N65C、STF20N65M2、IPD65R380E6
