型号：15N60L-TF
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：600V
　　连续漏极电流(ID)：15A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：60A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：0.28Ω @ VGS=10V, ID=7.5A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：1200pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：330pF @ VDS=25V
　　反向传输电容(Crss)：90pF @ VDS=25V
　　栅极电荷(Qg)：45nC @ VGS=10V
　　功耗(PD)：125W
　　工作结温范围(TJ)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F

15N60L-TF采用了优化的平面硅基工艺技术，确保了在高电压环境下仍能保持稳定的电气性能。其核心优势之一是具备较低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为0.28Ω，在大电流条件下显著降低导通损耗，提升系统整体能效。这一特性特别适用于高频开关电源设计，有助于减小散热器尺寸并提高功率密度。同时，该器件拥有适中的栅极电荷Qg（45nC），使得开关速度较快，减少了开关过程中的能量损耗，进一步增强了电源转换效率。
　　器件的阈值电压范围为2.0V至4.0V，属于标准逻辑兼容级别，可直接由常见的PWM控制器或微处理器IO口驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了外围驱动设计并降低了系统成本。其输入、输出及反向传输电容均经过精心设计，在高频应用中表现出良好的噪声抑制能力和稳定性。
　　15N60L-TF内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，能够有效应对感性负载切换过程中产生的反向电流尖峰，减少电磁干扰（EMI）问题，并防止因反向恢复时间过长导致的二次击穿风险。此外，该MOSFET通过了严格的雪崩测试，具备一定的单脉冲和重复脉冲雪崩能量承受能力，提升了在异常工况下的安全裕度。
　　TO-220F封装不仅提供了良好的热传导路径，还将引脚与散热片实现电气隔离，增强了使用安全性，尤其适用于需要接地散热片的应用场景。器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代节能电子产品的需求。

15N60L-TF因其高耐压、大电流和高效率特性，被广泛用于多种电力电子拓扑结构中。常见应用包括AC-DC开关电源，如手机充电器、笔记本适配器、LED驱动电源等，作为主开关管或同步整流器件使用，发挥其低导通损耗和高开关速度的优势。在DC-DC变换器中，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）拓扑中，该MOSFET可用于功率级开关元件，实现高效的能量转换。
　　此外，它也适用于电机控制领域，例如小型家电中的直流电机或步进电机驱动电路，利用其快速响应能力和高电流承载能力实现精确的速度与扭矩控制。在照明系统中，尤其是电子镇流器和高强度气体放电灯（HID）驱动电路中，15N60L-TF能够承受较高的电压应力和频繁的开关动作，保证长期运行的可靠性。
　　工业自动化设备中的开关电源模块、逆变器、UPS不间断电源系统以及太阳能光伏逆变器等也是其重要应用场景。在这些系统中，器件需要长时间在高温、高湿或强电磁干扰环境下稳定工作，而15N60L-TF凭借其坚固的结构设计和优良的热稳定性，展现出出色的耐用性和抗扰能力。其绝缘封装形式更便于集成到密集布局的PCB上，同时保障操作人员的安全。

20N60L-TF, 18N60L, FQP15N60L, K2163, IRFGB30