15N10G 时间：2025/12/27 7:58:06 阅读：26

15N10G是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类中高功率电子设备中。该器件采用TO-220或TO-220F等封装形式，具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。15N10G中的“15”代表其最大连续漏极电流约为15A，“10”表示其漏源击穿电压为100V，“G”通常用于标识该型号为Green（环保）版本，即符合RoHS标准且不含铅的绿色器件。该MOSFET设计用于在高频开关条件下工作，具备较低的导通电阻和快速的开关响应能力，从而有效降低系统功耗并提高整体效率。由于其优良的电气特性和可靠的封装工艺，15N10G在工业控制、消费电子、照明电源等领域得到了广泛应用。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。制造商通常会提供详细的数据手册，包含极限参数、安全工作区（SOA）、热阻特性以及典型应用电路，便于工程师进行产品选型与设计优化。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.085Ω（@Vgs=10V, Id=7.5A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1350pF（@Vds=50V）
　　输出电容（Coss）：约470pF
　　反向恢复时间（trr）：约28ns
　　二极管正向电压（Vf）：约1.2V（@Is=1A）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

15N10G具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）确保在大电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗，从而提升系统的整体能效。该MOSFET在Vgs=10V时，Rds(on)典型值可低至0.075Ω，最大不超过0.085Ω，这意味着在15A满载电流下，导通压降仅为1.275V左右，对应的导通功耗约为19.1W，结合良好的散热设计可有效控制温升。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值在30nC左右，这有助于减少驱动电路的功耗，并支持更高的开关频率应用，适用于高频DC-DC变换器和同步整流电路。
　　该器件具有良好的热稳定性，采用高纯度铜框架和优化的芯片布局，提高了热传导效率，降低了热阻（Rth(j-c)）。其最大结温可达150℃，并在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。内置体二极管具有较快的反向恢复速度，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统可靠性。
　　15N10G还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下吸收一定的能量而不损坏，适用于存在感性负载的应用场景，如电机驱动和继电器控制。此外，该器件符合RoHS和REACH环保标准，属于无卤素、无铅的绿色产品，适合出口型电子产品和高环保要求项目。其栅极氧化层经过严格工艺控制，具备较高的耐压能力，避免因静电放电（ESD）或电压尖峰导致的早期失效。

应用

15N10G常用于多种中高功率电力电子系统中，作为主开关器件或同步整流元件。在开关电源（SMPS）中，它可用于AC-DC或DC-DC拓扑结构中的初级侧开关或次级侧整流，尤其适用于Buck、Boost和Flyback等常见拓扑，能够有效提升转换效率并减小散热器体积。在电机驱动领域，该MOSFET可作为H桥电路中的功率开关，控制直流电机或步进电机的正反转与调速，凭借其快速响应和低导通损耗优势，显著改善动态响应性能。
　　在LED驱动电源中，15N10G可用于恒流控制电路中的功率调节部分，支持宽输入电压范围下的稳定输出。此外，在逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等新能源设备中，该器件也发挥着关键作用，承担能量转换与通断控制功能。由于其具备较高的电流容量和耐压能力，也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，保障系统安全运行。
　　在工业自动化设备、家电控制板、电动工具电源模块等场合，15N10G因其高可靠性和成本效益而被广泛采用。配合合适的驱动电路和保护机制（如过流、过温检测），可在复杂电磁环境中长期稳定工作，满足工业级应用需求。