15N06L-TN3-T 时间：2025/4/28 12:29:12 阅读：3

15N06L-TN3-T 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，适用于多种电力电子应用。其封装形式为 TO-220，能够提供良好的散热性能和电气连接能力。
　　这款 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，持续漏极电流可达 15A，非常适合用于直流电机驱动、电源管理电路以及开关电源等场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　持续漏极电流：15A
　　栅极阈值电压：2V 至 4V
　　导通电阻（典型值）：0.018Ω
　　总功耗：115W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

15N06L-TN3-T 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
　　2. 高速开关能力，适合高频操作环境。
　　3. 强大的过电流能力，在瞬态条件下表现优异。
　　4. TO-220 封装设计提供了优秀的散热路径和机械强度。
　　5. 稳定的电气性能，能够在宽温度范围内正常运行。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
　　2. 直流电机控制与驱动电路。
　　3. 电池保护和负载切换。
　　4. 工业自动化设备中的功率调节器。
　　5. 各种家用电器的电源管理系统。
　　由于其高效能和可靠性，15N06L-TN3-T 成为了众多工程师在中低压功率应用中的首选元件。