15N06L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:16:15 阅读：12

15N06L-TN3-R是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道MOSFET晶体管，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件设计用于高效率的电源管理应用，特别适合在低电压和中等电流条件下工作的系统。15N06L-TN3-R具有较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。该MOSFET采用SOT-23封装，是一种小型表面贴装封装，适用于空间受限的应用场景。由于其紧凑的尺寸和高性能特性，这款器件广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统以及各种开关模式电源电路中。此外，15N06L-TN3-R还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作，确保在不同环境条件下的稳定性能表现。该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代电子产品对环境友好型元件的要求。

参数

型号：15N06L-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：15A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：60A
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS = 10V, 7.5A
　　导通电阻(RDS(on))：32mΩ @ VGS = 4.5V, 7.5A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：590pF @ VDS = 30V
　　输出电容(Coss)：145pF @ VDS = 30V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS = 30V
　　栅极电荷(Qg)：11nC @ VGS = 10V
　　功耗(PD)：1W
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1
　　开启时间(td(on))：8ns
　　关断时间(td(off))：32ns

特性

15N06L-TN3-R采用Vishay专有的TrenchFET技术，这种先进的制造工艺显著降低了器件的导通电阻，从而减少了在高电流应用中的功率损耗。TrenchFET结构通过在硅基底上形成垂直沟道来增加单位面积内的沟道密度，进而提升载流子迁移率和电流承载能力。该技术不仅提高了电气性能，还优化了热管理，使得器件即使在高负载条件下也能保持较低的工作温度。
　　该MOSFET的低RDS(on)特性使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用。在这些应用场景中，低导通电阻意味着更少的能量以热量形式耗散，从而提高了系统的整体能效。此外，由于其快速的开关速度和低栅极电荷，15N06L-TN3-R能够实现高频操作而不会显著增加开关损耗，这对于现代高频率开关电源设计至关重要。
　　15N06L-TN3-R的SOT-23封装虽然体积小巧，但仍然提供了足够的散热路径，使其能够在有限的空间内可靠运行。该封装还便于自动化贴片生产，适合大规模制造流程。器件的栅极驱动要求相对较低，可以在4.5V至10V的VGS范围内有效工作，兼容多种常见的逻辑电平信号源，如微控制器或专用驱动IC。
　　另一个重要特性是其出色的雪崩能量耐受能力，这意味着即使在瞬态过压事件发生时，器件也具备一定的自我保护能力。这一特性增强了系统的鲁棒性，特别是在存在感性负载或突发断电情况下的应用环境中。同时，该器件具有较低的输入、输出和反向传输电容，有助于减少噪声耦合和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。

应用

15N06L-TN3-R广泛应用于多种电源管理和开关控制场景。它常被用作DC-DC降压或升压转换器中的主开关或同步整流器，尤其适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的高效电源架构。在这些应用中，其低导通电阻和高开关速度有助于延长电池续航时间并减小整体电源模块的尺寸。
　　该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，作为通断开关使用，提供低损耗的电流路径。此外，在电机驱动、LED驱动和热插拔电源控制等需要快速响应和高可靠性的场合，15N06L-TN3-R同样表现出色。其高电流处理能力和良好的热稳定性使其能在持续负载下稳定运行。
　　在消费类电子产品中，例如USB充电器、无线耳机充电盒和小型物联网设备中，15N06L-TN3-R因其小封装和高性能成为理想选择。工业级应用中，它可用于传感器供电、继电器驱动和隔离式电源的次级侧同步整流。此外，由于其符合RoHS标准且无卤素，满足现代电子产品对环保材料的需求，因此也被广泛用于绿色能源和可持续设计项目中。