时间：2025/7/15 9:44:15
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15KPA110A-B 是一种用于高频开关应用的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常被设计为 N 沟道增强型，适用于需要高效率和快速开关速度的应用场景。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性使得它在功率转换电路中表现出色，例如 DC-DC 转换器、逆变器以及电机驱动等领域。
最大漏源电压：110V
连续漏极电流：15A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：最高支持到 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
主要特性包括低导通电阻，这可以显著降低传导损耗并提高整体效率。此外，它的快速开关能力使其适合高频操作，从而减少磁性元件的尺寸并进一步提升功率密度。器件还具有优异的热稳定性和鲁棒性，能够承受瞬态脉冲和恶劣的工作条件。
该芯片采用了先进的封装技术以优化散热性能，并且内置了过流保护功能，防止因异常负载导致的损坏。其紧凑的封装形式也有助于简化 PCB 布局设计。
广泛应用于各种电力电子领域，具体包括但不限于以下方面：
- 开关电源 (SMPS) 中的主开关管
- 电机驱动中的功率级组件
- 太阳能微型逆变器的核心功率器件
- 各类 DC-DC 转换模块
- 电池管理系统中的负载开关
由于其高效能和可靠性，这款芯片非常适合对功耗和空间有严格要求的设计。
15KPA110A-C, IRF1404, FDP15N10
