时间：2025/9/20 3:28:27
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15GN01M-TL-E是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用共阴极双二极管配置，封装为SMA（DO-214AC）。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，广泛应用于电源转换、DC-DC变换器、逆变器以及续流和箝位电路中。其主要优势在于低正向电压降和快速反向恢复时间，有助于减少功率损耗并提高系统整体效率。该二极管的重复峰值反向电压（VRRM）为15V，平均整流电流（IO）可达1A，适用于便携式电子设备和紧凑型电源模块等对空间和能效有较高要求的应用场景。
15GN01M-TL-E符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品制造需求。器件在高温环境下仍能保持稳定性能，结温范围可达-55°C至+125°C，确保在恶劣工作条件下可靠运行。此外，该型号采用卷带包装（Tape and Reel），便于自动化贴片生产，提升制造效率。由于其优异的电气特性和可靠的封装技术，15GN01M-TL-E在消费类电子、工业控制、通信设备等领域得到了广泛应用。
型号：15GN01M-TL-E
制造商：Vishay Semiconductor
器件类型：肖特基势垒二极管（共阴极双二极管）
封装/包装：SMA（DO-214AC）
重复峰值反向电压 VRRM：15V
直流反向电压 VR：15V
平均整流电流 IO：1A
正向压降 VF（最大值）：620mV @ 1A, 25°C
非重复峰值正向浪涌电流 IFSM：30A
反向漏电流 IR（最大值）：500μA @ 15V, 25°C
工作结温范围：-55°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
反向恢复时间 trr：典型值 < 5ns
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：2
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
15GN01M-TL-E的核心特性之一是其低正向导通电压，典型值仅为620mV，在1A电流下可显著降低导通损耗，提升电源系统的整体能效。这一特性对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并减少发热。低VF得益于其采用的肖特基势垒结构，利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而避免了少数载流子的存储效应，实现更高效的电流传导机制。
另一个关键特性是其超快开关速度。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少子存储时间，因此反向恢复时间trr非常短，通常小于5ns。这一特性使其非常适合用于高频开关电源、同步整流和高速开关电路中，有效减少开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性与效率。
该器件采用共阴极双二极管配置，允许在同一封装内集成两个独立但共享阴极的肖特基二极管，节省PCB布局空间并简化电路设计，特别适用于双路整流或双通道续流保护等应用场景。SMA封装具有良好的热性能和机械稳定性，支持回流焊工艺，适合自动化大规模生产。
15GN01M-TL-E具备较强的抗浪涌能力，非重复峰值正向浪涌电流可达30A，能够在瞬态过载或启动冲击条件下保持安全运行。同时，其反向漏电流在高温下仍保持较低水平，虽高于传统PN二极管，但在同类肖特基器件中处于合理范围，确保在正常工作温度范围内不会影响系统可靠性。
15GN01M-TL-E广泛应用于各类中低电压直流电源系统中，尤其适用于需要高效能量转换的场合。在DC-DC转换器中，它常被用作输出整流二极管或续流二极管，凭借低正向压降和快速响应特性，显著提升转换效率并降低温升。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、移动电源等产品中，该器件有助于实现小型化和高能效设计。
在AC-DC适配器和离线式开关电源中，15GN01M-TL-E可用于次级侧整流电路，特别是在低压大电流输出的设计中表现出色。其高频特性也使其适用于PWM控制的电机驱动电路，作为感性负载的续流路径，防止反电动势损坏主控开关器件。
此外，该二极管还常见于逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源和太阳能充电控制器等工业与新能源领域。在这些应用中，其快速响应能力和良好的热稳定性保障了系统在复杂工况下的长期可靠运行。由于其符合RoHS标准且支持无铅焊接，也广泛用于出口型电子产品和环保认证项目中。
SBM15U01M-E3/5AT
MBR140-T1-F
SS12A-M3/H
