您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 15FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN)

15FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN) 发布时间 时间:2025/10/11 6:35:48 查看 阅读:20

15FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN) 是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装(SMD)瞬态抑制二极管阵列(TVS Array),专为高速数据线路和电源线路上的静电放电(ESD)保护而设计。该器件集成了多个TVS二极管,能够有效吸收瞬态过电压脉冲,防止敏感电子元件因静电、雷击或开关噪声等瞬态干扰而损坏。其封装形式为小型化多芯片模块(MCM),适用于空间受限的高密度PCB布局,广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备和工业控制接口中。该型号符合RoHS环保标准,采用无铅(LF)和无卤素(SN)材料制造,适合现代绿色电子产品生产要求。器件具有低电容特性,确保对高速信号完整性影响最小,同时具备快速响应时间和高浪涌吸收能力,能够在恶劣电磁环境中提供可靠保护。

参数

器件类型:TVS二极管阵列
  通道数:4通道
  工作电压(VRWM):5.0V
  击穿电压(VBR):6.4V @ 1mA
  最大钳位电压(VC):12.0V @ 7.8A
  峰值脉冲电流(IPP):7.8A
  反向漏电流(IR):≤1μA
  电容值(C):典型值0.3pF(每通道)
  响应时间:<1ps
  封装类型:MicroArray? 10-Pin SMD
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

15FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN) 具备卓越的ESD保护性能,符合IEC 61000-4-2国际标准,可承受±15kV空气放电和±8kV接触放电的极端静电冲击,远超大多数消费类电子产品的实际使用需求。其内部结构采用先进的硅晶片工艺,结合优化的PN结设计,实现了极低的动态电阻和稳定的钳位电压,确保在瞬态事件发生时迅速将能量泄放到地,从而保护后级IC不受损害。该器件的每通道电容仅为0.3pF,显著低于传统TVS器件,因此非常适合用于USB 3.0、HDMI、DisplayPort、SD卡接口等高速差分信号线路,在不引入信号衰减或串扰的前提下实现透明保护。
  此外,该TVS阵列为双向保护设计,支持正负极性瞬态电压抑制,适用于交流或双极性信号路径。其10引脚MicroArray?封装具有优异的热稳定性和机械强度,能够承受回流焊高温工艺,并在长期运行中保持电气性能一致性。由于集成度高,单个器件即可替代多个分立TVS二极管,不仅节省PCB面积,还简化了布局布线与物料管理流程。器件的低漏电流特性也使其适用于低功耗应用场合,如电池供电设备,避免不必要的静态功耗增加。整体而言,该产品在可靠性、紧凑性和电气性能之间达到了良好平衡,是现代精密电子系统中理想的前端防护解决方案。

应用

该器件广泛应用于各类需要高等级ESD防护的电子设备中,特别是在高速数据接口保护方面表现突出。常见应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB Type-C、microUSB、HDMI和音频插孔接口;也可用于保护Wi-Fi、蓝牙和GPS射频天线模块免受人体静电损伤。在工业领域,它可用于PLC通信端口、RS-485/RS-232收发器、CAN总线节点等工业总线接口的瞬态抑制。此外,医疗电子设备如便携式监护仪、超声探头连接器等对信号完整性和安全性要求极高的场合,也常采用此类低电容TVS阵列进行防护。由于其出色的响应速度和稳定性,还可用于汽车信息娱乐系统的多媒体接口、车载摄像头FPC连接线以及ADAS传感器信号线的ESD保护。总之,凡是有高速信号传输且暴露于外部环境的电子接口,均能从15FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN)的高性能保护中受益。

替代型号

[
   "15FMN-BMTR-A-TB",
   "SP1504BAHTN-LF",
   "RCLAMP0504P",
   "SD05C-E3/5AB",
   "EMIF05-UCM"
  ]

15FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN)推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价