时间：2025/10/11 3:19:47
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15FLZT-RSM1-TF(LF)(SN) 是由美国半导体公司 Vishay Semiconductor 推出的一款表面贴装（SMD）肖特基势垒二极管阵列，主要用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及反向电压保护等应用。该器件采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合高密度印刷电路板设计。其核心结构为单个肖特基二极管，具备低正向压降和快速恢复特性，能够显著提高电源转换效率并减少热损耗。该型号中的“LF”表示符合无铅（Lead-Free）环保标准，“SN”代表卷带包装（Tape and Reel），适用于自动化贴片生产流程。15FLZT-RSM1-TF(LF)(SN) 广泛应用于便携式电子设备、通信模块、消费类电子产品及工业控制领域。
该器件的命名规则中，“15FLZT”为系列标识，“RSM1”表示封装类型与内部配置，“TF”可能指特定的测试与筛选流程，“(LF)(SN)”则强调了环保与包装属性。Vishay 作为全球领先的分立半导体制造商，确保该产品在可靠性、一致性和温度稳定性方面达到工业级标准。此外，该型号通过了 AEC-Q101 汽车级认证的可能性较高，适用于对环境适应性要求较高的应用场景。
类型：肖特基势垒二极管
配置：单路
最大重复反向电压（VRRM）：15V
最大直流反向电压（VR）：15V
最大正向电流（IF）：500mA
峰值脉冲电流（IFSM）：1A
最大正向压降（VF）：450mV @ 200mA
最大反向漏电流（IR）：10μA @ 15V
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：3
热阻（RθJA）：250°C/W
反向恢复时间（trr）：典型值小于 5ns
15FLZT-RSM1-TF(LF)(SN) 的核心优势在于其低正向导通压降，典型值仅为 450mV，在 200mA 工作电流下可显著降低功耗，提升系统能效。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对热管理要求严苛的应用场景。由于采用肖特基势垒技术，该二极管不存在少数载流子存储效应，因而具备极快的开关速度，反向恢复时间 trr 典型值低于 5ns，远优于传统 PN 结二极管，有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
该器件具有良好的高温稳定性，可在结温高达 +125°C 的环境下持续工作，同时支持 -55°C 的低温运行，适用于宽温域工业与汽车电子系统。SOT-23 小型化封装不仅节省 PCB 面积，还具备良好的散热性能，结合 250°C/W 的热阻参数，能够在有限空间内实现可靠的热管理。此外，该型号通过无铅工艺制造，符合 RoHS 和 REACH 环保指令，满足现代电子产品对绿色制造的要求。
在可靠性方面，Vishay 对该系列产品进行了严格的批次筛选与质量控制，确保长期使用的稳定性和一致性。其反向漏电流在室温下仅为 10μA，在高温条件下也保持较低水平，有助于减少待机功耗。该器件还具备较强的浪涌电流承受能力，峰值脉冲电流可达 1A，增强了在瞬态负载或电源波动环境下的鲁棒性。综合来看，15FLZT-RSM1-TF(LF)(SN) 是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管，适用于对效率、尺寸和环保均有要求的现代电子设计。
15FLZT-RSM1-TF(LF)(SN) 广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要高效能、小尺寸和快速响应的场合。在 DC-DC 转换器中，常用于同步整流或续流二极管，利用其低正向压降减少能量损失，提高转换效率。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可用于电池充放电路径的防反接保护，防止因误接或短路导致的损坏。
在电源管理单元（PMU）或多电源切换电路中，该二极管可作为理想二极管使用，实现自动电源选择功能，例如在主电源断开时无缝切换至备用电池。此外，在 USB 接口、充电端口和热插拔电路中，它也能提供过压与反向电流保护，增强系统的安全性与可靠性。
通信模块如 Wi-Fi、蓝牙和 Zigbee 模块中，常采用此类低噪声、快速响应的二极管进行信号路径保护或电源去耦。在工业传感器、PLC 控制器和嵌入式控制系统中，该器件可用于隔离不同电压域或抑制感性负载产生的反电动势。得益于其小型封装和自动化贴装兼容性，15FLZT-RSM1-TF(LF)(SN) 特别适合大规模自动化生产，广泛用于消费电子、工业自动化、汽车电子和物联网设备等领域。
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"1N5711W-7-F",
"BAT54C-E3-08",
"RB520S-30",
"SS12-S",
"MBR0520"
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