时间：2025/12/26 20:25:52
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15ETX06FPPBF是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道TrenchFET?功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高密度电源转换应用而设计。该器件封装在紧凑的PowerPAK? SO-8L封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适合用于需要高效能和小尺寸解决方案的场合。15ETX06FPPBF的主要优势在于其优化的栅极电荷与导通电阻乘积（RDS(on) × Qg），这使其在开关电源、同步整流、DC-DC转换器等高频应用中表现出色。该MOSFET符合RoHS环保标准，并且不含卤素，适用于对环境要求较高的工业和消费类电子产品。此外，其封装设计支持表面贴装工艺，便于自动化生产装配。器件的额定电压为30V，连续漏极电流可达18A，能够在高温环境下稳定运行，具备良好的可靠性和耐用性。
产品类型：MOSFET
通道类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：18A
脉冲漏极电流（IDM）：72A
导通电阻RDS(on) @ VGS = 10V：5.7mΩ
导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V：7.2mΩ
栅极电荷（Qg）@10V：15nC
输入电容（Ciss）：900pF
反向恢复时间（trr）：16ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：PowerPAK SO-8L
15ETX06FPPBF采用Vishay专有的TrenchFET技术，通过优化的沟槽结构显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件在VGS = 10V时的典型RDS(on)仅为5.7mΩ，在VGS = 4.5V时为7.2mΩ，表明其在低压驱动条件下仍能保持优异的导通性能，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。低RDS(on)不仅有助于降低功率损耗，还能减少散热需求，从而简化热管理设计并缩小整体电源模块体积。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg = 15nC）和米勒电容，使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用如同步降压转换器和负载点（POL）电源。
PowerPAK SO-8L封装是该器件的关键优势之一，相较于传统SO-8封装，它采用了无引线设计，显著改善了热阻性能，增强了从芯片到PCB的热传导能力。这种封装还减少了寄生电感，提升了器件在高速开关过程中的稳定性，抑制了电压振铃和电磁干扰（EMI）。此外，该封装兼容标准表面贴装工艺，支持回流焊装配，适用于大规模自动化生产。器件的雪崩能量额定值较高，具备一定的抗过压冲击能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。15ETX06FPPBF的工作结温可达+150°C，保证了其在高温工业环境或密闭空间内的长期可靠性。综合来看，该MOSFET在效率、尺寸、热性能和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高密度电源设计的理想选择。
15ETX06FPPBF广泛应用于各类高效率电源系统中，包括同步整流式DC-DC降压转换器、负载点（Point-of-Load, POL）电源模块、笔记本电脑和台式机的VRM（电压调节模块）、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及热插拔电源控制。由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适合用于大电流、低电压输出的电源拓扑中，例如在多相 buck 转换器中作为下管（synchronous rectifier）使用，能够显著降低传导损耗，提高转换效率。此外，该器件也适用于服务器、网络通信设备和工业控制系统的电源管理单元。在便携式电子设备中，其小型化封装有助于节省PCB空间，满足轻薄化设计需求。同时，得益于其良好的热性能和可靠性，15ETX06FPPBF也可用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐系统或ADAS模块的供电部分。
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"SiSS108DN-T1-GE3",
"AO4407",
"IRLML6344TRPBF",
"FDMS7680S",
"FDMC8228"
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