15CGQ100 时间：2025/12/26 19:49:09 阅读：10

15CGQ100是一款高性能的碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode），专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具有优异的热稳定性和低开关损耗特性，广泛应用于电源转换系统、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业电机驱动等高端电力电子领域。与传统的硅基二极管相比，15CGQ100在反向恢复时间、正向压降和耐温性能方面均有显著提升，能够有效提高系统的整体能效并减小散热设计的复杂度。该器件通常封装于TO-247或类似的大功率封装中，具备良好的热传导能力，适用于大电流、高电压的工作条件。其额定电压为1200V，最大平均正向电流可达15A，峰值电流能力更强，适合在严苛环境下长期稳定运行。
　　15CGQ100由Wolfspeed（原Cree）公司生产，是其碳化硅二极管产品线中的重要成员之一。由于碳化硅材料本身的宽带隙特性，该器件能够在高达175°C的结温下可靠工作，且无需反向恢复电荷（Qrr几乎为零），从而大幅降低高频开关过程中的能量损耗。此外，该器件还具备极快的开关速度，使其非常适合用于硬开关和软开关拓扑结构，如PFC（功率因数校正）、DC-DC变换器和三相逆变器等电路中。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：15A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A
　　正向电压降（VF）：典型值1.65V @ 15A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：典型值250μA @ 1200V, 25°C；最大值3.0mA @ 1200V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约1.2°C/W
　　封装形式：TO-247-2L

特性

15CGQ100的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料所实现的卓越电学与热学性能。传统硅基PIN二极管在高频开关应用中存在明显的反向恢复电荷（Qrr）问题，导致较大的开关损耗和电磁干扰（EMI）。而15CGQ100作为一款肖特基势垒二极管，利用碳化硅材料的高临界电场强度和宽带隙特性，彻底消除了少子存储效应，实现了接近零的反向恢复电荷，从而在所有工作条件下均无反向恢复电流尖峰。这一特性极大地提升了系统效率，尤其是在连续导通模式（CCM）PFC电路中表现尤为突出。
　　该器件的正向导通压降（VF）虽然略高于理想硅器件，但在高温工况下仍保持相对稳定，不会像硅二极管那样随温度升高而显著下降并引发热失控风险。相反，碳化硅材料的正温度系数使得多个15CGQ100并联使用时具有天然的电流均衡能力，提高了系统可靠性。此外，其高达175°C的最大工作结温允许在紧凑型散热设计中使用，减少了对大型散热器的依赖，有助于缩小整个电源系统的体积。
　　15CGQ100具备出色的动态稳定性，在快速dv/dt环境下不会产生误导通现象，且对噪声免疫能力强。其TO-247封装提供了优良的机械强度和热传导路径，便于安装于风冷或液冷冷板上。器件符合RoHS指令要求，并通过了AEC-Q101等车规级可靠性测试，适用于电动汽车车载充电机（OBC）、充电桩、光伏逆变器和工业UPS等高可靠性应用场景。同时，由于其无反向恢复行为，可显著降低MOSFET或IGBT主开关器件的关断应力，延长主开关寿命，减少EMI滤波需求，从而降低系统总成本。

应用

15CGQ100主要应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子系统中。在工业电源领域，它常被用于有源功率因数校正（PFC）电路中作为升压二极管，特别是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）拓扑中，能够显著减少开关损耗并提升整体能效至98%以上。在太阳能光伏逆变器中，该器件用于直流侧的防反接和能量回馈路径，凭借其低导通损耗和零反向恢复特性，可在白天高频运行期间保持低温升，提高系统发电效率。
　　在电动汽车相关系统中，15CGQ100广泛用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的AC-DC及DC-DC转换级，支持双向能量流动，并能在宽温度范围内稳定工作，满足汽车级严苛环境要求。此外，在不间断电源（UPS）、服务器电源、电信整流器和工业电机驱动器中，该器件也发挥着关键作用，帮助实现小型化、轻量化和高效化的电源设计方案。由于其优异的高温性能，15CGQ100还可用于井下石油勘探设备、航空航天电源模块等极端环境下的电力转换系统。