15C01S-TL-E 时间：2025/12/28 10:17:37 阅读：10

15C01S-TL-E是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用小型化封装DF2B，适用于高密度、便携式电子设备中的电源整流和信号保护应用。该器件以其低正向电压降、快速开关特性以及良好的热稳定性著称，广泛用于消费类电子产品、通信设备和便携式电源管理系统中。作为一款单通道二极管，15C01S-TL-E在保证高性能的同时实现了紧凑的封装尺寸，非常适合空间受限的应用场景。
　　该型号的命名遵循ROHM的标准命名规则：'15C'表示其电气特性类别，'01'代表系列编号，'S'可能表示特定的封装或版本标识，'TL-E'则表明其为卷带包装（Taping）且符合环保要求（如无铅和符合RoHS标准）。器件采用先进的半导体制造工艺，确保了批次一致性与长期可靠性，并通过了多项工业级认证，适合在工业、商业及部分车载环境中稳定运行。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　配置：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：15V
　　最大平均正向整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：450mV（典型值，@ IF=1A, TA=25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：100μA（@ VR=15V, TA=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：DF2B（双引脚表面贴装）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（Rth(j-a)）：约250°C/W（依PCB布局而定）

特性

15C01S-TL-E的核心优势在于其低正向导通压降与高速开关性能的结合，使其在低压大电流应用中表现出色。其最大正向电压仅为450mV左右，在1A负载条件下显著降低了功率损耗，提高了系统能效。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长电池续航时间并减少散热需求。此外，由于采用了肖特基势垒结构，该器件没有少数载流子存储效应，因此具备极短的反向恢复时间（trr < 10ns），可有效抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰，提升系统稳定性。
　　该二极管具有良好的反向击穿特性与稳定的漏电流表现，在高温环境下仍能保持较低的漏电水平，确保电路在恶劣条件下的安全运行。其15V的反向耐压设计适用于常见的3.3V、5V和12V电源轨，可用于防止反接、电源切换和OR-ing电路等场景。DF2B封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.6mm x 1.0mm x 0.8mm），还具备优异的机械强度和焊接可靠性，兼容自动化贴片工艺，便于大规模生产。
　　器件符合RoHS指令，不含铅（Pb-free），并通过了有害物质管控测试，满足现代电子产品对环保的要求。同时，15C01S-TL-E具备较高的抗静电能力（HBM ESD rating typically > 2kV），增强了在实际使用中的鲁棒性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+125°C）使得它能够在严苛环境（如汽车电子外围电路或工业控制模块）中可靠工作。综合来看，这款二极管是高性能、小尺寸、低功耗设计的理想选择之一，尤其适合用于DC-DC转换器输出整流、续流二极管、极性保护以及热插拔电源管理等领域。

应用

15C01S-TL-E广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源）中的电源路径管理，用作防反接二极管或电池充放电回路中的隔离元件。在电源适配器和USB供电设备中，它常被用于同步整流替代方案或作为次级侧整流器件，以提高转换效率并减小整体尺寸。
　　在通信模块和无线设备中，该二极管可用于射频前端电路的瞬态保护和直流偏置路径的整流功能。此外，在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）供电电路中，15C01S-TL-E可作为多个电源域之间的“或逻辑”供电选择器（Power OR-ing），实现主备电源无缝切换。其快速响应能力也使其适用于高频开关电源（如Buck、Boost拓扑）中的续流二极管，有效降低能量损耗并提升动态响应速度。
　　工业控制系统、传感器模块和智能仪表中也常见该器件的身影，用于隔离不同电压域、防止倒灌电流以及提供过压箝位保护。得益于其小型化封装和高可靠性，15C01S-TL-E同样适用于高密度PCB布局和多层板设计，支持回流焊工艺，适应现代电子产品向轻薄化、集成化发展的趋势。